1.一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，从下到上依次包括多孔增透薄膜(1)、柔性透明衬底(2)、柔性透明阴极(3)、阴极缓冲层(4)、光活性层(5)、阳极缓冲层(6)和阳极(7)；所述多孔增透薄膜(1)通过旋涂、热交联和去离子液体制备在柔性透明衬底(2)背面。

2.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，所述增透薄膜(1)的制备材料由聚合物，离子液体与交联剂混合配制而成；所述聚合物为聚苯乙烯‑b‑聚环氧乙烷‑b‑聚苯乙烯、聚苯乙烯‑b‑聚甲基丙烯酸甲酯‑b‑聚苯乙烯、聚苯乙烯‑b‑聚丙烯酸乙酯‑b‑聚苯乙烯、聚N‑异丙基丙烯酰胺‑b‑聚环氧乙烷‑b‑聚N‑异丙基丙烯酰胺)、聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯‑六氟丙烯、聚(偏二氟乙烯‑三氟乙烯‑氯三氟乙烯)中的一种；所述离子液体为1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐、1‑乙基‑3‑甲基咪唑双单氟磺酰亚胺盐、1‑乙基‑3‑甲基咪唑双氰胺盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟磷酸盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐中的至少一种；所述交联剂为双重氮杂环交联剂、双叠氮化物交联剂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，所述柔性透明阴极(3)的制备材料为银纳米线、聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸、单壁碳纳米管、石墨烯中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，所述阴极缓冲层(4)的制备材料为金属氧化物、富勒烯C60、富勒烯衍生物、有机‑无机杂化电解质或共轭聚电解质中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，所述光活性层(5)由电子给体材料与受体材料的混合溶液制备而成，厚度范围为50～300nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，所述阳极缓冲层(6)的制备材料为过渡金属氧化物或聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器，其特征在于，所述阳极(7)的制备材料为Au、Ag、石墨烯中的一种。

8.一种基于有机半导体的柔性光电探测器的制备方法，其特征在于，制备过程包括以下步骤：步骤1：对柔性透明衬底(2)用异丙醇进行清洗，清洗后用氮气吹干；

步骤2：在干燥处理后的柔性透明衬底(2)背面旋涂、印刷或喷涂聚合物、离子液体和交联剂的混合氯仿溶液，然后置于恒温箱中进行热固化形成交联离子凝胶；

步骤3：将热固化后的交联离子凝胶、柔性透明衬底(2)置于氯仿中浸泡10s去除聚合物中的离子液体形成多孔增透薄膜(1)，用氮气吹掉表面溶剂后烘干；

步骤4：在柔性透明衬底(2)表面旋涂透明导电阴极材料，然后在100℃下烘烤5min除去溶剂，重复三次得到均匀的柔性透明阴极(3)；

步骤5：在柔性透明阴极(3)表面旋涂、印刷或喷涂阴极缓冲层溶液，然后进行热退火，制得阴极缓冲层(4)；

步骤6：将活性层混合溶液旋涂在阴极缓冲层(4)上，然后进行热退火处理，制得光活性层(5)；

‑4

步骤7：在真空度为1×10 Pa条件下，蒸镀MoO3阳极缓冲层(6)；

‑4

步骤8：在真空度为1×10 Pa条件下，蒸镀金属阳极(7)。

9.根据权利要求8所述的一种基于有机半导体的柔性光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤2中，热固化为在190～210℃条件下进行30min；步骤3中，烘干为在90～100℃的环境下，持续2min；步骤5中，退火为在150～250℃条件下进行10～20min。