1.一种半导体核辐射探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选择CsPbBr3单晶作为衬底；

用溴甲醇溶液对所述衬底的表面进行化学腐蚀处理，得到化学腐蚀处理后的衬底；

用氢溴酸溶液对所述化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；

对所述钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；

在所述刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在所述化学腐蚀处理后的衬底远离所述刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；

将所述半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到所述半导体核辐射探测器；

所述溴甲醇溶液中溴甲醇的质量百分比浓度为3% 7%；所述氢溴酸溶液的pH值为4 5；

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所述步骤中，刻蚀处理的方法为等离子体刻蚀法；

所述第一内层金属电极和所述第二内层金属电极均为Ti电极；所述第一中层金属电极为Pt电极或Ag电极；所述第二中层金属电极为Pt电极或Ag电极；所述第一外层金属电极为Au电极或Al电极；所述第二外层金属电极为Au电极或Al电极。

2.根据权利要求1所述的一种半导体核辐射探测器的制备方法，其特征在于，所述第一内层金属电极和所述第二内层金属电极的厚度分别为10 30nm；所述第一中层金属电极和~所述第二中层金属电极的厚度分别为30 50nm；所述第一外层金属电极和所述第二外层金~属电极的厚度分别为50 100nm。

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3.根据权利要求1所述的一种半导体核辐射探测器的制备方法，其特征在于，所述保护气氛为Ar气氛。

4.根据权利要求1所述的一种半导体核辐射探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤中，退火处理的温度为60 100℃。

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5.一种采用如权利要求1 4中任一项所述制备方法制得的半导体核辐射探测器。

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6.一种如权利要求5所述半导体核辐射探测器在核辐射探测中的应用。