1.一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，包括阴极P+区（1）、阴极N+区（2）、阴极P‑well区（3）、漂移区（4）、埋氧层（5）、衬底（6）、阳极P+区（7）、阳极P‑well区（8）、阳极N‑buffer区（9）、普通MOS金属栅极（12）、普通MOS栅极氧化层（16），其特征在于，该器件还包括阳极N+区（10）、阳极浮空N+区（11）、沟道MOS金属栅极（13）、阳极辅助MOS金属栅极（14）、阳极浮空MOS金属栅极（15）、沟道MOS栅极氧化层（17）、阳极辅助MOS栅极氧化层（18）和阳极浮空MOS栅极氧化层（19）；

反向导通区由阳极N‑buffer区（9）、阳极P‑well区（8）、阳极N+区（10）、阳极辅助MOS金属栅极（14）、阳极辅助MOS栅极氧化层（18）、阳极浮空N+区（11）、阳极浮空MOS金属栅极（15）和阳极浮空MOS栅极氧化层（19）组成；所述阳极N+区（10）位于阳极P+区（7）的正后方，所述阳极N+区（10）与阳极P+区（7）共同被阳极P‑well区（8）包裹在右上侧；所述阳极P‑well区（8）被阳极N‑buffer区（9）完全包裹在右上侧；所述阳极浮空N+区（11）位于阳极N‑buffer区（9）的后上方，与阳极P+区（7）和阳极N+区（10）处于同一水平方向；所述阳极辅助MOS金属栅极（14）和阳极辅助MOS栅极氧化层（18）位于阳极N‑buffer区（9）—阳极P‑well区（8）—阳极N+区（10）夹层中阳极P‑well区（8）的正上方；所述阳极辅助MOS栅极氧化层（18）下侧与阳极P‑well区（8）上侧直接接触，所述阳极辅助MOS栅极氧化层（18）上侧与阳极辅助MOS金属栅极（14）下侧直接接触；所述阳极浮空MOS金属栅极（15）位于阳极N+区（10）—阳极P‑well区（8）—阳极N‑buffer区（9）—阳极浮空N+区（11）夹层中阳极P‑well区（8）、阳极N‑buffer区（9）与阳极浮空N+区（11）的正上方；所述阳极浮空MOS栅极氧化层（19）下侧与阳极P‑well区（8）和阳极N‑buffer区（9）上侧直接接触，所述阳极浮空MOS栅极氧化层（19）上侧与阳极浮空MOS金属栅极（15）左下侧部分直接接触；所述阳极浮空MOS金属栅极（15）与阳极浮空MOS栅极氧化层（19）和阳极浮空N+区（11）直接接触；

沟道二极管区由阴极N+区（2）、阴极P‑well区（3）、漂移区（4）、沟道MOS金属栅极（13）和沟道MOS栅极氧化层（17）组成；所述阴极N+区（2）位于阴极P+区（1）的右侧，被阴极P‑well区（3）完全包裹；所述漂移区（4）位于阴极P‑well区（3）的下侧与右侧；所述沟道MOS金属栅极（13）位于阴极N+区（2）—阴极P‑well区（3）—漂移区（4）夹层中的阴极P‑well区（3）的正上方；所述沟道MOS栅极氧化层（17）下侧与阴极P‑well区（3）上侧和漂移区（4）上侧左部分直接接触，所述沟道MOS栅极氧化层（17）上侧与沟道MOS金属栅极（13）下侧直接接触；

该器件的底部由埋氧层（5）和衬底（6）组成；所述埋氧层（5）位于漂移区（4）下侧，同时位于衬底（6）的上侧。

2.根据权利要求1所述的集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述阳极P+区（7）和阳极N+区（10）共同与阳极电极直接接触；所述阳极辅助MOS金属栅极（14）的电极与阳极电极相连；所述沟道MOS金属栅极（13）的电极与阴极电极相连。

3.根据权利要求1或2所述的集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，其特征在于，普通

MOSFET的源极为阴极N+区（2），漏极为漂移区（4），栅极为普通MOS金属栅极（12），栅氧化层为普通MOS栅极氧化层（16）；

沟道MOSFET的源极为漂移区（4），漏极为阴极N+区（2），栅极为沟道MOS金属栅极（13），栅氧化层为沟道MOS栅极氧化层（17）；

阳极辅助MOSFET的源极为阳极N‑buffer区（9），漏极为阳极N+（10），栅极为阳极辅助MOS金属栅极（14），栅氧化层为阳极辅助MOS栅极氧化层（18）；

阳极浮空MOSFET的源极为阳极N+区（10），漏极为阳极浮空N+区（11），栅极为阳极浮空MOS金属栅极（15），栅氧化层为阳极浮空MOS栅极氧化层（19）。

4.根据权利要求3所述的集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述普通

MOSFET用于控制阴极电子的注入；所述沟道MOSFET用于在反向导通时先于体内寄生二极管开启；所述阳极辅助MOSFET用于保证器件在双极型模式的前提下为电子提供额外通道。

5.根据权利要求3所述的集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述普通

MOSFET用于控制器件的开启与关闭；所述沟道MOSFET用于调节器件反向导通时刻注入器件内多子电子与少子空穴的比例；所述阳极辅助MOSFET用于消除传统RC‑LIGBT中的Snapback电压回折现象。

6.根据权利要求1所述的集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述沟道MOS栅极氧化层（17）、阳极辅助MOS栅极氧化层（18）或阳极浮空MOS栅极氧化层（19）的厚度根据需要调整。

7.根据权利要求1所述的集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述阳极浮空MOS金属栅极（15）的材料包括掺杂多晶硅或铝。