1.一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路（1），其特征在于：所述输入电路（1）电性连接有保护电阻（2），所述保护电阻（2）远离输入电路（1）的一侧电性连接有MOS集成电路管（3），所述MOS集成电路管（3）的外壁均匀的固定连接有放电针（4），所述MOS集成电路管（3）远离保护电阻（2）的一侧电性连接有输出电路（5），所述MOS集成电路管（3）的外部套接有保护管（6），所述保护管（6）的外部固定连接有放电嘴（7），所述保护管（6）的顶部设有进风口（8），所述进风口（8）的内部安装有负离子发生装置（9），所述保护管（6）远离进风口（8）的一侧设有出风口（10）；

所述放电针（4）远离MOS集成电路管（3）的一端逐渐变细；

所述保护管（6）的外壁接地；

所述放电嘴（7）罩在放电针（4）的外部。

2.根据权利要求1所述的一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于：所述进风口（8）正对电路散热风扇的风口。

3.根据权利要求1所述的一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于：所述负离子发生装置（9）可均匀的产生负离子。