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专利号: 201920859795X
申请人: 上海市共进通信技术有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2024-12-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种MOS管栅极保护结构,其特征在于,所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块,所述的电感的一端接触发信号,电感的另一端与MOS管的栅极相连接,所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。

2.根据权利要求1所述的MOS管栅极保护结构,其特征在于,所述的感应电动势吸收模块包括二极管,所述的二极管的阳极与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接,所述的二极管的阴极与所述的电感中与触发信号连接的一端相连接。

3.根据权利要求1所述的MOS管栅极保护结构,其特征在于,所述的感应电动势吸收模块包括电容,所述的电容一端与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接,所述的电容的另一端接地。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的MOS管栅极保护结构,其特征在于,所述的电感为扼流电感。