1.一种碳化硅MOS栅控晶闸管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阴极金属(1)、N+衬底层(11)、N+衬底缺陷抑制缓冲层(12)、P+场截止层(3)和P-漂移区(4)；所述P-漂移区(4)上层具有N阱区(5)，N阱区(5)上层具有P阱区(6)，P阱区(6)上层具有并列设置的P+欧姆接触区(8)和N+区(7)，其中P+欧姆接触区(8)位于外侧；在P+欧姆接触区(8)上表面和部分N+区(7)上表面具有金属层(9)，在N+区(7)剩余部分的表面具有氧化层(10)，且氧化层(10)沿器件表面向远离金属层(9)一侧延伸，依次覆盖P阱区(6)、N阱区(5)和P-漂移区(4)的表面，在位于覆盖P阱区(6)、N阱区(5)和P-漂移区(4)表面的氧化层(10)上层，具有栅极金属(14)；

其特征在于，所述P+场截止层(3)与N+衬底缺陷抑制缓冲层(12)之间还具有N-注入增强缓冲层(13)，所述N-注入增强缓冲层(13)的掺杂浓度低于P+场截止层(3)的掺杂浓度，用于增加阴极结构中的少数载流子扩散长度，进而增大阴极注入效率。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS栅控晶闸管，其特征在于，所述N-注入增强缓冲层(13)厚度范围为2～20μm，掺杂浓度范围为1e16～1e18cm-3。