1.一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极相连接，另一端与MOS管的源极相连接；MOS管的栅极与控制管脚相连接；MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。

2.根据权利要求1所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的RC保护电路包括电阻(R)和电容(C)，所述的电阻(R)和电容(C)串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。

3.根据权利要求2所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电阻(R)的电阻值为KΩ级。

4.根据权利要求2所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电容(C)的电容值为pF级。