1.一种集成SBD的增强型HEMT，包括衬底(1)、位于衬底上表面的缓冲层(2)和位于缓冲层(2)上表面的势垒层(3)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；所述势垒层(3)上层一侧具有与其形成欧姆接触的漏极金属(8)，其另一侧具有凹槽栅结构，所述凹槽栅结构由栅介质(5)和位于栅介质(5)中的栅极金属(4)构成；所述栅介质(5)的横截面为U型，其底部嵌入缓冲层(2)中；其特征在于，与栅介质(5)连接的势垒层(3)上层具有源极金属(6)，所述源极金属(6)与势垒层形成肖特基接触，所述栅介质(5)覆盖在源极金属(6)上表面；与源极金属(6)连接的势垒层(3)上表面具有金属(7)，所述金属(7)与势垒层(3)形成肖特基接触；所述源极金属(6)与金属(7)电气连接，所述源极金属(6)、金属(7)与漏极金属(8)和势垒层(3)形成SBD。

2.根据权利要求1所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述金属(7)的功函数大于漏极金属(8)的功函数。

3.根据权利要求2所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述金属(7)为功函数大于5eV的金属或合金，所述漏极金属(8)为功函数小于5eV的金属或合金。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述缓冲层(2)采用的材料为GaN，所述势垒层(3)采用的材料为AlGaN。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述缓冲层(2)采用的材料为GaN，所述势垒层(3)采用的材料为III族元素In、Al与N元素形成三元合金。

6.根据权利要求4所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述栅介质(5)采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、HfO2或Sc2O3。

7.根据权利要求6所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述源极金属(6)与GaN之间的AlGaN厚度为3-20nm。

8.根据权利要求7所述的一种集成SBD的增强型HEMT，其特征在于，所述金属(7)为金或铂，所述源极金属(6)为钛。