1.一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)利用种子生长法制备金纳米棒分散液；

(2)将得到的金纳米棒分散液离心，去除上清液，清洗后得金纳米棒，将金纳米棒分散在CTAB溶液中，得金纳米棒CTAB分散液；

(3)调整金纳米棒CTAB分散液pH为8.5后，在搅拌状态下一次性加入TEOS的乙醇溶液，搅拌2d，离心，分离物经水、乙醇清洗后，分散在乙醇中，得两端包覆二氧化硅的金纳米棒；

步骤(3)中，采用0.1M的NaOH溶液调整金纳米棒CTAB分散液pH为8.5；TEOS的乙醇溶液中，TEOS的体积百分含量为20％，金纳米棒CTAB分散液与TEOS的乙醇溶液体积比为100：1；

加入TEOS的乙醇溶液时，搅拌速度为1200～1400rpm；搅拌时温度控制在25℃；

加入NaOH形成弱碱环境，有利于TEOS水解在金纳米棒表面包覆SiO2；一次性加入TEOS时，高速搅拌，避免SiO2独立成核。

2.根据权利要求1所述的一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法，其特征在于，步骤(1)中，利用种子生长法制备金纳米棒分散液的具体步骤为：将HAuCL4溶液和CTAB溶液混合后，加入NaBH4溶液，搅拌得种子溶液；将CTAB溶液与NaOL溶于水中后，加入AgNO3溶液，恒温静置后加入HAuCl4溶液，搅拌得生长溶液；将生长溶液pH调整至1.1～1.3后，依次加入抗坏血酸溶液及种子溶液，水浴加热，静置，得金纳米棒分散液。

3.根据权利要求2所述的一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法，其特征在于，将

0.025mL、0.1M的将HAuCL4溶液和10mL、0.1M的CTAB溶液混合，搅拌得种子溶液；加入0.6mL、

0.01M的NaBH4溶液；将2.5mL、0.1M的CTAB溶液与0.037g NaOL在50℃下溶于21.25mL水中，降温至30℃后，加入0.9mL、4mM的AgNO3溶液，30℃水浴恒温加热，静置15min，加入0.25mL、

10mM的HAuCl4溶液，400rpm搅拌60min，得生长溶液；采用质量浓度为37％的盐酸将生长溶液pH调整至1.1～1.3，依次加入75μL、64mM的抗坏血酸溶液及40μL种子溶液，30℃水浴恒温加热，静置12h。

4.根据权利要求1所述的一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法，其特征在于，步骤(2)中，将金纳米棒分散在浓度为0.15mM的CTAB溶液中，金纳米棒CTAB分散液中金纳米棒的浓度为0.1mM。