1.一种透明导电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：薄膜生产中，制备薄膜基底首先经过清洗，清洗经过HCl再超声下清洗8‑10min，再利用NaOH溶液超声清洗8‑10min，最后利用丙酮超声清洗8‑10min，每个试剂清洗间隔均利用去离子水超声清洗8‑10min，最后利用氮气吹干薄膜基底表面；

S2：其中镀膜的材料采用ATO溶胶凝胶，ATO溶胶凝胶采用氯化亚锡(SnCl2•H2O) 为前驱体，用单乙醇胺(MEA)作稳定剂，无水乙醇和冰乙酸作溶剂，其中溶胶的制备在通风橱中进行，使用磁力搅拌器搅拌2小时，然后在室温下陈化24小时，得到溶胶凝胶；

本溶胶的制备具体步骤如下：

S2‑1：SnCl2•H2O加入乙醇、乙酸和MEA在68‑72℃温度下搅拌2h，在磁力搅拌机中，搅拌至0.8‑1.0h时，加入SbCl3、乙醇和乙酸在68‑72℃温度下搅拌2h后的混合液，持续搅拌至

2h，得到预混合体；

S2‑2：预混混合体在容器中陈化，在陈化10min‑20min间隔下进行磁力搅拌，便于均匀陈化，得到预喷涂的溶胶；

S3：将清洗后的基底放入加热平台中间部位，以免喷涂不对称，将基底加热到所需的温度，并保温40min，即开始喷涂，通过将S2中的预喷涂使用的溶胶凝胶通入雾化设备上，雾化喷嘴喷出后利用氮气引流集中喷涂至基底上，喷涂结束后15min关闭加热，待薄膜体温度降到室温左右，取出喷涂基底；

S4：将制备好的薄膜体进行热处理，以4‑5℃/min 的升温速率在350°C 下保温25‑

30min，继续升温至480‑500℃， 在490‑495℃下保温0.8‑1.2h，当热处理温度超过250℃时，在马弗炉中通入氮气作为保护气体；

S5：热处理结束后采用自然降温制度降至室温，结束氮气通入，得到所需的透明导电ATO薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜制备方法，其特征在于，所述S1中的基底采用双面打磨的硅片或者硅硼玻璃，且基底的大小为所需制膜大小的1.2‑1.3倍。

3.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜制备方法，其特征在于，所述S2‑1中掺杂的Sb掺杂浓度在10‑12at.%，且Sb掺杂浓度最优为11at.%。

4.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜制备方法，其特征在于，所述S2‑2中陈化后的溶胶需要使用离心机将沉淀去除，得到稳定、均一的ATO溶胶。

5.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜制备方法，其特征在于，所述S3中喷涂的路径采用回型纹由内至外沿着顺时针或逆时针喷涂，且喷涂路径的喷涂宽度相同，使薄膜的叠涂率降低。

6.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜制备方法，其特征在于，所述S5中成型的透明导电ATO薄膜厚度在200‑600nm，且透明导电ATO薄膜的厚度最优在500nm。