1.一种透明导电薄膜，其特征在于，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。

2.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜，其特征在于，每层缓冲层薄膜的厚度不大于100纳米。

3.根据权利要求2所述的一种透明导电薄膜，其特征在于，每层缓冲层薄膜的厚度为

0～30纳米。

4.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜，其特征在于，每层缓冲层薄膜的材料采用纳米金属薄膜、纳米金属网和纳米金属线中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜，其特征在于，每层透明导电薄膜层的厚度为10～2000纳米。

6.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜，其特征在于，还包括沉积在基地和透明导电薄膜层之间的预制层。

7.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；

步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；

步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；

步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。

8.根据权利要求7所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中沉淀第一层透明导电薄膜层时的温度为200-500℃；步骤2中沉积缓冲层薄膜和步骤3中沉积其余透明导电薄膜层时的温度为20-300℃。

9.根据权利要求7所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的基底采用刚性基底或柔性基底。

10.根据权利要求7或9所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，透明导电薄膜层采用掺杂的氧化铟、掺杂的氧化锡、掺杂的氧化锌、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜中的一种或多种的混合物，或者金属合金薄膜。

11.根据权利要求7或9所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，缓冲层薄膜采用导电性能高于透明导电薄膜层的金属、氧化物或合金中的一种。

12.根据权利要求7所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，预处理包括对基地的表面处理，并且步骤1中还包括在基底上沉积预制层的步骤，在预制层上沉积第一层透明导电薄膜层。

13.根据权利要求12所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，表面处理采用等离子体表面处理，气氛为氢气、氮气、氦气、氖气、氩气或混合气体。