1.一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：将羟基化的FTO薄膜放入硅烷偶联剂的乙醇溶液中浸泡后取出，清洗、吹干，再放入NaHSO4溶液中浸泡使得FTO薄膜样品表面产生带正电荷的氨基质子，通过对浸泡FTO薄膜样品的NaHSO4溶液pH值的控制，实现对复合薄膜光电性能的调控；再浸入g-C3N4阴离子电解质溶液中，因静电力作用，阴离子电解质吸附在带正电荷的基片表面使其带负电，然后将表面带负电荷的基片再浸入(C8H16NCl)n阳离子电解质溶液中，让其带正电荷，使FTO薄膜自组装吸附g-C3N4层，根据需要的自组装次数循环操作，最终获得g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜。

2.如权利要求1所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于按照如下步骤进行：

步骤1、将清洗干净并保护好FTO薄膜玻璃面的FTO薄膜样品放入NaOH的乙醇溶液中超声清洗，冲洗干净后，将FTO薄膜样品浸入NH3·H2O/H2O2/H2O的混合溶液中水浴加热，取出FTO薄膜样品清洗、吹干；

步骤2、将FTO薄膜样品放入硅烷偶联剂的乙醇溶液中浸泡后取出，清洗、吹干，再放入NaHSO4溶液中浸泡使得FTO薄膜样品表面产生带正电荷的氨基质子，通过对NaHSO4溶液pH值的控制，实现对复合薄膜光电性能的调控；

步骤3、将表面氨基质子化的FTO薄膜样品放入g-C3N4溶液中浸泡，取出后冲洗、吹干；

步骤4、将步骤3处理后的FTO薄膜样品放入(C8H16NCl)n溶液中浸泡，取出后冲洗、吹干；

步骤5、依次重复操作步骤3和步骤4，次数为2～8次，得到g-C3N4/FTO复合薄膜。

3.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述将FTO薄膜样品清洗干净指：先将FTO薄膜样品依次在去离子水、丙酮、无水乙醇溶液下各超声清洗10min，然后用N2吹干，再放入温度为45℃的干燥箱中烘干2h，待用；步骤

1中，保护好FTO薄膜玻璃面指：用耐酸碱性胶带保护FTO薄膜样品的玻璃面，防止溶液黏附在其表面；步骤1中，NaOH的乙醇溶液浓度为1mol/L，溶剂中水和无水乙醇体积比为1:1，超声清洗时间为15min；冲洗干净指用去离子水冲洗干净。

4.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述混合溶液中，NH3·H2O、H2O2和H2O的体积比为(1～3):1:6，NH3·H2O的质量百分浓度为28％，H2O2的质量百分浓度为30％；所述水浴加热的温度为50℃，时间为25min；清洗指放入去离子水中超声清洗3次，每次时间为10min，吹干指用N2吹干。

5.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2中，硅烷偶联剂的乙醇溶液中，A-1130硅烷偶联剂与乙醇的体积比为1:9，浸泡时间为

2h；清洗指用丙酮进行清洗，吹干指并用N2吹干。

6.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2中，NaHSO4溶液pH值的调节范围为2～6，配置的NaHSO4溶液pH值越大，得到的g-C3N4/FTO复合薄膜的透光率和方块电阻均越大；浸泡时间为10min。

7.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3中，g-C3N4溶液的浓度为0.05～0.15mg/mL，浸泡时间为30min，冲洗指用去离子水冲洗，吹干指用N2吹干。

8.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤4中，(C8H16NCl)n溶液的质量百分浓度为4％～15％，浸泡时间为30min，冲洗指用去离子水冲洗，吹干指用N2吹干。

9.如权利要求2所述的一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤5中，依次重复操作步骤3和步骤4，次数为4次，得到g-C3N4/FTO复合薄膜。