1.一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述透明导电薄膜为BaSnO3/Cu/BaSnO3的夹层结构，即包括依次层叠的BaSnO3薄膜层、Cu薄膜层和BaSnO3薄膜层；

所述的一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，它包括以下步骤：步骤一，将BaSnO3靶材和Cu靶材装入磁控溅射系统的腔体内；

步骤二，将磁控溅射系统的腔体抽至一定的真空度，然后使用氩氧混合气或者氩气作为溅射气体用以溅射BaSnO3靶材，在一定的溅射功率下在衬底上进行沉积得到BaSnO3薄膜层；

步骤三，在一定的溅射功率下在步骤二得到的BaSnO3薄膜层上溅射Cu薄膜层；

步骤四，在一定的溅射功率下在步骤三得到的Cu薄膜层上溅射BaSnO3薄膜层，制得夹层结构透明导电薄膜；

所述步骤二中，所述磁控溅射系统的真空度为0.1×10-3Pa 1.0×10-3Pa；

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所述步骤二中，所述氩氧混合气中，氧气和氩气的摩尔比为0.1 0.5:1；所述氩氧混合~气或者所述氩气的压强为0.3 Pa 3 Pa；

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所述步骤二、步骤三和步骤四中，所述溅射功率均为30W 100W；

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所述BaSnO3靶材和所述Cu靶材分别与所述衬底之间的距离为30mm～100mm。

2.根据权利要求1所述的一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：每层所述BaSnO3薄膜层的厚度均为10nm～100nm，所述Cu薄膜层的厚度为3nm～20nm。

3.根据权利要求2所述的一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：每层所述BaSnO3薄膜层的厚度均为30nm～50nm，所述Cu薄膜层的厚度为8nm～11nm。

4.根据权利要求1所述的一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，所述BaSnO3靶材和所述Cu靶材的纯度均为99.99%。

5.根据权利要求1所述的一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，所述衬底为玻璃衬底、石英衬底或蓝宝石衬底。