1.一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)选用金属作为填充材料，将部分金属伸入设置在基板上的微孔中；

(2)在可控气氛下，将金属熔融和/或熔断，熔化后的金属通过毛细现象填充微孔；

(3)对已填充的微孔表面进行抛光；

(4)对基板进行图形电镀，使得基板上各个微孔互连，形成线路层，从而获得带有线路层的载板。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述金属为金属线，该金属线为一根，所述金属线的直径小于微孔的直径；

在步骤(1)中，将部分金属伸入设置在基板上的微孔中的具体步骤为：将金属线的其中一端伸入微孔中；

在步骤(2)中，将金属熔融和/或熔断，熔化后的金属通过毛细现象填充微孔的具体步骤为：熔断外露在所述微孔外面的金属线的根部，熔化后的金属通过毛细现象填充在微孔与金属线之间的间隙中。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述金属为金属线，该金属线为两根，分别为第一根金属线和第二根金属线，其中，所述第一根金属线和第二根金属的材料相同；所述第一根金属线的直径小于微孔的直径；

在步骤(1)中，将部分金属伸入设置在基板上的微孔中的具体步骤为：将第一根金属线的其中一端伸入微孔中，然后引第二根金属线置于微孔上方并靠近外露在所述微孔外面的第一根金属线的根部；

在步骤(2)中，将金属熔融和/或熔断，熔化后的金属通过毛细现象填充微孔的具体步骤为：熔断外露在所述微孔外面的第一根金属线的根部，同时将第二根金属线熔化，熔化后的金属通过毛细现象填充在微孔与第一根金属线之间的间隙中。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述金属为金属线，该金属线为两根，分别为第一根金属线和第二根金属线，其中，所述第一根金属线的熔点低于第二根金属线的熔点；所述第一根金属线的直径小于微孔的直径；

在步骤(1)中，将部分金属伸入设置在基板上的微孔中的具体步骤为：将第一根金属线的其中一端伸入微孔中，然后引第二根金属线置于微孔上方并靠近外露在所述微孔外面的第一根金属线的根部；

在步骤(2)中，将金属熔融和/或熔断，熔化后的金属通过毛细现象填充微孔的具体步骤为：将第二根金属线熔化，熔化后的金属通过毛细现象填充在微孔与第一根金属线之间的间隙中，然后熔断外露在所述微孔外面的第一根金属线的根部，熔化后的金属进一步对微孔与第一根金属线之间的间隙进行填充。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述金属为金属线，该金属线为一根，该金属线外部电镀有一层金属层，其中，所述金属线的直径小于微孔的直径；

在步骤(1)中，将部分金属伸入设置在基板上的微孔中的具体步骤为：将镀有金属层的金属线的其中一端伸入微孔中；

在步骤(2)中，将金属熔融和/或熔断，熔化后的金属通过毛细现象填充微孔的具体步骤为：将金属层进行熔化，熔化后的金属通过毛细现象填充在微孔与金属线之间的间隙中；

然后熔断外露在所述微孔外面的金属线的根部，熔化后的金属进一步对微孔与第一根金属线之间的间隙进行填充。

6.根据权利要求5所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述金属层的熔点低于金属线的熔点。

7.根据权利要求2‑6任一项所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述金属线的直径为微孔直径的0.7～0.95倍。

8.根据权利要求1‑6任一项所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，步骤(2)中，将金属熔融和/或熔断的具体方式为：对金属通入脉冲电流或者对金属进行激光加热。

9.根据权利要求1‑6任一项所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述可控气氛包含空气、氮气、氢气、惰性气体或者氢气加惰性气体混合气氛中的其中一种。

10.根据权利要求1‑6任一项所述的一种集成电路中的微孔填充工艺，其特征在于，所述微孔为盲孔和/或通孔。