1.一种集成电路制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：

a、溅镀：采用溅镀机在集成电路芯片表面溅镀金属膜；

b、光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；

c、曝光：用曝光机对需要生长金凸块位置发生光溶解反应；

d、显影：用显影机和显影液，通过浸泡产生化学反应，去除掉曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；

e、电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；

f、后处理：对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理；

其中，a步骤中所述溅镀机包括主体(1)、设于所述主体(1)上的抽气机(2)、设于所述主体(1)上的进料口(3)和出料口(31)、设于所述出料口(31)处的冷却腔(33)、设于所述进料口(3)处的进料仓(4)、设于所述进料仓(4)内的进料装置(5)、设于所述进料仓(4)上的密封门(41)、设于所述主体(1)底部的工作台(11)；所述进料装置(5)包括设于所述进料仓(4)内的移动台(51)、设于所述移动台(51)上的推板(52)、设于所述推板(52)上的电机(53)、设于所述移动台(51)内的多个吸气仓(54)、设于所述吸气仓(54)内的驱动辊(55)、设于所述驱动辊(55)上的驱动扭簧(56)、设于所述驱动辊(55)上的驱动绳(57)、设于吸气仓(54)内的吸气机构(6)、设于所述进料仓(4)内的进料板(58)、设于所述进料板(58)上的卡槽(59)、设于所述进料仓(4)内的进料机构(7)；开始进行溅镀时，先启动抽气机(2)将主体(1)内变成真空状态；然后将装有产品的料板放入移动台(51)上；启动电机(53)，通过推板(52)的将料板推至进料口(3)处；此时在推动的时候，驱动绳(57)拉动驱动辊(55)旋转，从而使吸气机构(6)开始启动；对进料仓(4)内部进行抽气，同时料板在移动的时，进料板(58)开始向上移动，率先与移动台(51)平齐；然后料板卡进卡槽(59)内；进一步的在进料机构(7)的作用下，将料板装进主体(1)内，开始进行溅镀；当溅镀完成后，再送入冷却腔(33)内进行冷却；

所述吸气机构(6)包括设于所述吸气仓(54)内的旋转辊(61)、设于所述旋转辊(61)内的旋转扭簧(62)、设于所述旋转辊(61)内的齿环(68)、设于所述吸气仓(54)内壁上的变速齿轮(63)、设于所述旋转辊(61)上的吸气绳(64)、设于所述吸气仓(54)内的吸气辊(65)、设于所述吸气辊(65)上的联动齿轮(69)、设于所述吸气辊(65)上的驱动齿轮(66)、设于所述移动台(51)内的多个吸气管(67)、设于所述吸气管(67)内的吸气组件(8)；当驱动辊(55)开始旋转的时候，吸气绳(64)拉动旋转辊(61)开始旋转；然后在变速齿轮(63)的带动下，吸气辊(65)开始旋转；进一步的通过驱动齿轮(66)带动吸气组件(8)开始对进料仓(4)内部排气；

所述吸气组件(8)包括设于所述吸气管(67)内的齿条块(81)、设于所述齿条块(81)上的齿条弹簧(82)、设于所述吸气管(67)一端的第一单向阀(83)、设于所述吸气管(67)内的移动框(84)、设于所述移动框(84)上的移动弹簧(85)、设于所述吸气管(67)内壁上的第一固定块(86)、设于所述移动框(84)侧壁上的传动带(87)、设于所述传动带(87)上的第二固定块(88)、设于所述移动框(84)上的活塞板(89)、设于所述活塞板(89)上的第二单项阀(890)、设于所述移动框(84)上的连接绳(891)；当驱动齿轮(66)开始旋转的时候，带动齿条块(81)在吸气管(67)内向右移动；然后拉动移动框(84)在吸气管(67)内向下移动；此时传动带(87)开始旋转；进一步的在第二凸块的带动下，活塞板(89)向下移动，从而开始吸气；

当驱动齿轮(66)与齿条块(81)脱离的时候，在在移动弹簧(85)的作用下，移动框(84)复位；

如此反复，根据打气筒的原理实现了吸气；

所述进料机构(7)包括设于所述进料仓(4)底部的传送台(71)、设于所述移动台(51)内的传送带(72)、设于所述传送带(72)上的定位口(73)、设于所述移动台(51)内的传动轮(74)、设于所述传动轮(74)上的传动扭簧(75)、设于所述传动轮(74)上的定位齿(76)、设于所述传动轮(74)上的传动绳(77)及限位机构(9)；当驱动辊(55)开始旋转的时候，通过传动绳(77)拉动传动轮(74)旋转；然后定位齿(76)带动传送带(72)旋转；首先在限位机构(9)的作用下，进料板(58)与传送带(72)连接，从而进料板(58)随着传送带(72)向上移动，直至与移动台(51)上表面平齐；

所述限位机构(9)包括设于所述进料板(58)内的限位块(91)、设于所述限位块(91)上的卡齿(92)、设于所述进料板(58)上的进料弹簧(93)、设于所述限位块(91)上的第一斜槽(94)、设于所述进料板(58)上的第一斜块(95)、设于所述限位块(91)上的第二斜槽(96)、设于所述进料板(58)上的第二斜块(97)、设于所述进料仓(4)上壁端的第一抵块(98)、设于所述第一抵块(98)上的第三斜槽(99)、设于所述进料仓(4)上壁端的第二抵块(990)、设于所述进料板(58)上的棱形块(991)、设于所述棱形块(991)上的限位槽(992)、设于所述进料板(58)内的三角块(993)、设于所述棱形块(991)底部的翻板(994)、设于所述限位块(91)上的卡块(995)、设于所述卡块(995)上的卡块扭簧(996)；进料板(58)在进料弹簧(93)的作用下与进料仓(4)底部相抵；此时第一斜块(95)抵住第一斜槽，从而驱动限位块(91)向右移动；

在移动的过程中，卡块(995)沿棱形块(991)表面移动，进而与限位槽(992)相抵；此时卡齿(92)与定位口(73)相扣；当料板被嵌进卡槽(59)内后，料板一端与第二抵块(990)相抵，从而带动第二抵块(990)与第三斜槽(99)相抵，进一步的驱动第二抵块(990)与第二斜块(97)移动，从而驱动限位块(91)再次向右移动；此时卡块(995)脱离限位槽(992)脱离，限位块(91)开始复位；同时在进料弹簧(93)的作用下，进料板(58)向下移动；进一步的料板在传送台(71)传送至主体(1)内。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路制造工艺，其特征在于：所述c步骤中，用曝光机，对需要生长金凸块位置的光阻使用波长为405‑436纳米的光进行照射10‑150秒，使之发生光溶解反应。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路制造工艺，其特征在于：所述f步骤中，光阻去除并对集成电路芯片及金凸块表面进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层之后，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理；具体过程细分为如下过程：电浆处理→第一次金蚀刻→光阻去除→电浆处理→第二次金蚀刻。