1.微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过抽真空让样品基板上待填孔中的气体溢出，促使微纳金属膏体渗入至所述待填孔中；

(2)通过外部仪器对样品基板或待填孔中的微纳金属膏体产生作用力，促使待填孔中的微纳金属膏体具有向待填孔底部移动的加速度，从而实现待填孔中的微纳金属膏体紧实化。

2.根据权利要求1所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在步骤(1)中，先将微纳金属膏体涂覆填充于样品基板的待填孔表面，再对样品基板上的待填孔进行抽真空处理，使得微纳金属膏体在自身张力以及压力差的条件下快速流入待填孔中。

3.根据权利要求1所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在步骤(1)中，先对样品基板上的待填孔进行抽真空处理，使得待填孔中的气体溢出，随后再将微纳金属膏体涂覆填充于待填孔表面。

4.根据权利要求1所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，将样品基板竖直放置在旋转离心装置中，通过旋转离心装置对样品基板的待填孔中的微纳金属膏体产生离心力，从而促使待填孔中的微纳金属膏体不断压实压紧在待填孔中，实现微纳金属膏体的紧实化；所述离心力与待填孔的轴向方向平行，且所述离心力指向待填孔的底部。

5.根据权利要求1所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，通过对样品基板产生冲击载荷的方式，促使微纳金属膏体具有向待填孔底部移动的加速度，从而使得微纳金属膏体与待填孔发生相对移动，实现微纳金属膏体的紧实化。

6.根据权利要求5所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，对样品基板产生载荷的方式选用以下其中一种方法实现：(a)样品基板水平放置，对样品基板产生向上的冲击载荷，促使微纳金属膏体具有向待填孔底部移动的加速度，向待填孔底部移动，实现微纳金属膏体的紧实化；

(b)样品基板水平放置，对样品基板产生向下的冲击载荷，随后通过急停促使微纳金属膏体具有向待填孔底部移动的加速度，向待填孔底部移动，实现微纳金属膏体的紧实化。

7.根据权利要求1所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，对待填孔中的微纳金属膏体进行非对称波形的超声波处理，并让微纳金属膏体向待填孔底部移动的加速度大于其他方向的加速度，实现微纳金属膏体的紧实化处理。

8.根据权利要求7所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在对微纳金属膏体进行非对称波形的超声波处理时，超声波波形需要满足以下公式：|f″(t)·ε[f″(t)]|max≤|f″(t)·ε[‑f″(t)]|max其中，

式中，f(t)为超声波波形函数，t为时间，ε(x)为阶跃函数，|f″(t)·ε[f″(t)]|max代表正向加速度的最大值，|f″(t)·ε[‑f″(t)]|max代表负向加速度的最大值，且定义正方向为指向待填孔外，负方向为指向待填孔内。

9.根据权利要求8所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，其特征在于，在对微纳金属膏体进行非对称波形的超声波处理时，选择以下其中一种f(t)函数：(a)相同振幅不同频率的耦合函数，具体如下：式中，n为自然数，t为时间，T为周期， A为振幅，ω1、ω2为圆频率；

(b)不同振幅相同频率的耦合函数，具体如下：式中，n为自然数，t为时间，T为周期， A1、A2为振幅，ω为圆频率。

10.微孔填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用权利要求1‑9任一项所述的微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法，在样品基板的待填孔中填充微纳金属膏体并进行紧实化处理；

(2)对样品基板的待填孔表面的微纳金属膏体干燥处理；

(3)向样品基板的待填孔表面继续添加固含量高于步骤(1)的微纳金属膏体的微纳金属膏体，形成微纳金属干湿混合体；

(4)对样品基板的待填孔中的微纳金属干湿混合体进行二次紧实化处理；

(5)重复步骤(2)～(4)若干次；

(6)对样品基板待填孔中的微纳金属干湿混合体进行热压烧结，完成微孔填充加工。