1.集成半导体器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的散热基层(1)、绝缘层(2)和金属层(3)，所述散热基层(1)上设有圆形腔(4)，所述散热基层(1)上开设有多个呈环形均匀设置的散热孔(5)，所述圆形腔(4)和散热孔(5)之间转动安装有水平设置的横轴(12)，横轴(12)上安装有散热扇叶(8)，所述散热基层(1)的底部设有马达(10)，马达(10)的输出轴与多个横轴(12)传动连接，所述金属层(3)的顶部设有芯片槽(6)，所述芯片槽(6)内焊接有芯片(7)，所述芯片槽(6)的的内侧壁底部与圆形腔(4)之间设有多个呈环形均匀设置的输送管(9)，输送管(9)竖直设置。

2.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述圆形腔(4)内转动安装有主动锥齿轮(11)，马达(10)的输出轴与主动锥齿轮(11)传动连接，所述横轴(12)远离散热孔(5)的一端固定有从动锥齿轮(13)，从动锥齿轮(13)与主动锥齿轮(11)啮合。

3.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述金属层(3)的底部与芯片槽(6)的底部之间设有多个呈环形均匀分布的竖孔一(15)，所述绝缘层(2)上设有多个呈环形均匀分布的竖孔二(16)，所述散热基层(1)的顶部与圆形腔(4)之间设有多个呈环形均分布的竖孔三(14)，所述竖孔一(15)位于竖孔二(16)的正上方，竖孔二(16)位于竖孔三(14)的正上方。

4.根据权利要求3所述的集成半导体器件，其特征在于，所述输送管(9)的底部贯穿竖孔一(15)、竖孔二(16)、竖孔三(14),输送管(9)与竖孔一(15)、竖孔二(16)和竖孔三(14)的内壁固定连接，竖孔一(15)、竖孔二(16)和竖孔三(14)与输送管(9)输送管(9)的内壁固定连接。

5.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述散热基层(1)和所述金属层(3)均由铝、铜、钼、铝合金、铜合金或钼合金制成。

6.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述绝缘层(2)由树脂以及用于调节其导热系数和热膨胀系数的陶瓷材料制成。

7.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述散热基层(1)、绝缘层(2)和金属层(3)之间通过胶粘连接。

8.一种如权利要求1‑7任一项所述的集成半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在散热基层上设置有源区；

S2、在散热基层表面形成伪栅结构和多晶硅层；

S3、对所述有源区执行杂质的离子注入；

S4、在所述有源区和和多晶硅层上生长介质层，通过一次掩膜曝光、刻蚀形成接触孔；

S5、在所述介质层上表面和接触孔内生长金属层，通过一次掩膜曝光、刻蚀形成金属连线；

S6、通过真空压板工艺将所述散热基层、所述绝缘层和所述金属层制作成一体式结构。

9.根据权利要求8所述的集成半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层与伪栅结构的多晶硅栅极的形成工艺为化学气相沉积或原子层堆积。

10.根据权利要求8所述的集成半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤S3中，注入杂质为硼离子，其注入能量为180～220千电子伏，其注入剂量为8E12～10E12原子/平方厘米。