1.一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳源和硅源按1～24：1的质量比溶解于溶剂中，经搅拌得到预溶液；

S2、将所述预溶液进行静电纺丝，获得预产物；

S3、将所述预产物依次经过干燥、固化和煅烧操作，得到Si/C纳米膜；

S4、将步骤S3所制得的Si/C纳米膜真空镀膜，镀一层导电层，即得到高电导率Si/C纳米膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为聚丙烯腈、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇中的一种；所述硅源为粒径20～50nm的纳米硅粉。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为聚丙烯腈，聚丙烯腈与纳米硅粉的质量比为4～16:1，所述溶剂为氮氮二甲基甲酰胺。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇，聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇与纳米硅粉的质量比为8:1，所述溶剂为纯水。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，搅拌温度为25℃，搅拌时间为10h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，静电纺丝的参数为：喷注速度1～1.5mL/h，高压15‑22KV，负压‑2.3KV。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，固化温度为280℃，固化时间为2h；煅烧温度为600‑1000℃，煅烧时间为1‑3h，升温速率为1‑5℃/min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，采用电子枪加速电子轰‑3

击碰撞导电靶材为步骤S3所制得的Si/C纳米膜表面真空镀膜，真空度设置为3×10 ～6×‑3

10 Pa。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述导电靶材为铜、银、金、铂中的一种；所述导电层的厚度为50～500nm。

10.根据权利要求1‑9中任一项所述的制备方法所制备的高电导率Si/C纳米膜作为锂离子电池材料的应用。