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专利号: 2022107001796
申请人: 武汉工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种高性能NiS2@C纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)花状Ni‑ZIF的制备

以甲醇为溶剂,将有机配体溶液滴加至镍盐溶液中,混合均匀得绿色溶液;然后进行溶剂热反应,再经冷却、洗涤、干燥,得花状Ni‑ZIF;

2)NiS2@C纳米材料的制备

将花状Ni‑ZIF与单质硫粉混合均匀,在流动的保护气氛下,进行热处理,冷却,即得所述NiS2@C纳米材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述单质硫粉为升华硫粉。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述花状Ni‑ZIF与单质硫粉质量比为

1:(0.5‑1.5)。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热处理温度为250‑350℃,时间为

2‑4h。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述保护气氛的流动速率为2‑10mL/min。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镍盐为硫酸镍、醋酸镍、硝酸镍中的一种或几种;有机配体为2‑甲基咪唑。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镍盐与有机配体的摩尔比为1:(1‑6)。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂热反应温度为120‑160℃,时间为4‑12h。

9.权利要求1~8任一项所述制备方法制备的NiS2@C纳米材料,其特征在于,其具有花球状结构,花球直径为1‑2μm;NiS2颗粒均匀分布在花瓣上,NiS2的粒径在10‑20nm。