1.一种Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、将导电聚合物、硅源和有机溶剂混合均匀，得到纺丝溶液；

S20、将所述纺丝溶液进行静电纺丝，得到前驱体薄膜；

S30、将所述前驱体薄膜加热至200～300℃，并保温1～5h，得到SiO2/C纳米膜；

S40、在惰性气氛下，将所述SiO2/C纳米膜继续加热至1000～2000℃，并保温2～20h，得到Si/SiC/C纳米纤维膜。

2.如权利要求1所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S10中：所述导电聚合物包括聚丙烯腈、聚酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚偏二氟乙烯中的至少一种；和/或，

所述有机溶剂包括无水乙醇、丙酮和N,N‑二甲基甲酰胺中的至少一种；和/或，所述硅源包括纳米硅粉、纳米二氧化硅和正硅酸乙酯中的至少一种。

3.如权利要求1所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S10中：所述导电聚合物、硅源和有机溶剂的质量比为1：(0.5～5)：(5～30)。

4.如权利要求1所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S10具体包括：

在30～80℃下，将导电聚合物、硅源和有机溶剂均匀搅拌6～24h，得到纺丝溶液。

5.如权利要求1所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S20中：所述静电纺丝的纺丝电压为10～20kv，挤出速度为0.5～1.0mL/min。

6.如权利要求1所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S30中：将所述前驱体薄膜以1～10℃/min的升温速率加热至280～300℃；和/或，保温时间为1～3h。

7.如权利要求6所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S30中：将所述前驱体薄膜以2℃/min的升温速率加热至280℃，并保温2h，得到SiO2/C纳米膜。

8.如权利要求1所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤S40中：将所述SiO2/C纳米膜以5～10℃/min的升温速率继续加热至1400～2000℃；和/或，保温时间为2～5h。

9.一种电池负极，其特征在于，所述负极为由如权利要求1至8任意一项所述的Si/SiC/C纳米纤维膜的制备方法制得的Si/SiC/C纳米纤维膜。

10.一种锂离子电池，其特征在于，所述锂离子电池包括如权利要求9所述的负极。