1.一种集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：包括在电路基板(7)上蚀刻出多条间距相同且相互平行的接地线(5)；

将N根长度相同的针状电极(1)通过导电环(6)沿与接地线(5)垂直的方向平行固定于接地线(5)上；

注塑绝缘填充浆，并对注塑形成的基体进行边缘切割使接地线(5)两端裸露，形成仅具有一行针状电极的单层电极基体；

重复以上操作，得到M个单层电极基体；

将M个所述单层电极基体层叠固化为一个长方体状基座胚体a；

环绕所述基座胚体四周镀覆导电层，形成一个基座胚体b；

沿相邻接地线(5)的间隙方向将所述基座胚体b切片，得到若干个集成电路全抗静电基座；

所述N为被保护芯片球栅阵列引脚的列数，所述M为被保护芯片球栅阵列引脚的行数。

2.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：所述电路基板(7)进行接地线蚀刻时，通过定位销进行定位，使每条接地线(5)的宽度与导电环(6)的高度相等。

3.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：所述N根长度相同的针状电极(1)通过辅助支架平行固定，所述辅助支架上设有等间距设置并用于固定针状电极(1)的卡槽，所述卡槽设置于辅助支架上与所述针状电极(1)上部和下部对应位置处。

4.根据权利要求3所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：所述针状电极(1)固定于辅助支架上后，在所述针状电极(1)上采用电镀方式镀铜形成导电环(6)，每根所述针状电极(1)上均在与所述接地线(5)对应位置处电镀有导电环(6)。

5.根据权利要求3所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：还包括将所述辅助支架与辅助支架上固定的针状电极(1)一同平铺于电路基板(7)的多条接地线(5)平面上；

微调辅助支架的位置，使每个导电环(6)沿高度方向与接地线(5)完全重合；

分别对所述针状电极(1)行首和行末的第一个导电环(6)进行坐标标记；

在导电环(6)与接地线(5)接触处印制锡膏，入回流焊，使每个导电环(6)均与接地线(5)导电连接。

6.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：注塑绝缘填充浆时，使所述绝缘填充浆的表面与导电环(6)表面平齐。

7.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：将单层电极基体采用针状电极(1)朝上的方式放置，通过涂覆绝缘填充浆的方式逐层固化各个单层电极基体，直至M个单层电极基体固化为一个整体；

在固化过程中，前M‑1层需保证每个单层电极基体中行首和行末的第一个导电环(6)均与上一层重合。

8.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：第M个所述单层电极基体制作时，在行尾增设一个针状电极a(4)，所述针状电极a(4)采用与最后一行接地线导电连接的金属裸线。

9.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：所述针状电极(1)为电压诱变阻膜包线，其通过导电芯线在外包覆电压诱变阻膜制作而成。

10.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座制作方法，其特征在于：所述绝缘填充体(2)为包含石墨烯0.3％—30％，环氧树脂70％—99.5％，其它材料0.2％的具有吸收由高压脉冲电压产生的二次感应造成的瞬变能量的高温固化材料。