1.一种集成电路全抗静电基座，其特征在于：包括针状电极(1)、导电环(6)、接地线(5)、绝缘填充体(2)和接地外环(3)，所述针状电极(1)为电压诱变阻膜包线，所述针状电极(1)阵列分布于所述接地外环(3)内，每行所述针状电极(1)均垂直设有一条接地线(5)，每个所述针状电极(1)上均紧密套固有一个导电环(6)，所述导电环(6)与所述接地线(5)导电连接，所述接地线(5)两端与所述接地外环(3)导电连接，所述接地外环(3)与针状电极(1)、导电环(6)、接地线(5)之间通过绝缘填充体(2)密封固定，每个所述针状电极(1)的两端与所述绝缘填充体(2)的表面平齐，所述针状电极(1)的最后一行在行尾增设一个针状电极a(4)，所述针状电极a(4)为与最后一行接地线(5)导电连接的金属裸线，所述接地线(5)为电路基板(7)附铜层经蚀刻形成的条状铜带。

2.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述电压诱变阻膜包线包括导电芯线和包覆于芯线外的电压诱变阻膜。

3.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述针状电极(1)的行、列数与被保护芯片球栅阵列引脚的行、列数一致。

4.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述接地线(5)的高度与所述导电环(6)的高度一致，且小于所述针状电极(1)的高度。

5.根据权利要求2所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述导电环(6)与所述导电环(6)覆盖的芯线之间满足粒子隧道关系。

6.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述针状电极(1)形成的阵列中，各针状电极(1)之间的行距和列距均与被保护芯片球栅阵列引脚的行距、列距一致。

7.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述接地外环(3)为环绕绝缘填充体(2)镀覆而成的导电层。

8.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述导电环(6)为环绕针状电极(1)镀覆形成的导电层。

9.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述绝缘填充体(2)为包含石墨烯0.3％—30％，环氧树脂70％—99.5％，其它材料0.2％的具有吸收由高压脉冲电路产生的二次感应造成的瞬变能量的高温固化材料。

10.根据权利要求1所述的集成电路全抗静电基座，其特征在于：所述导电环(6)通过焊接方式与接地线(5)导电连接。