1.一种全环绕闸极水平贯穿式晶体管，其特征在于，所述全环绕闸极水平贯穿式晶体管包括：衬底(110)；

隔离层(120)，生长在所述衬底(110)上；

多个闸极(130)，平铺、间隔生长在所述隔离层(120)上；

绝缘层(140)，生长在所述闸极(130)和所述隔离层(120)上；

至少一个器件单元(150)，生长在所述绝缘层(140)上；

所述器件单元(150)包括生长在所述绝缘层(140)上的源极(151)、汲极(153)和阱层(152)，其中，所述阱层(152)位于所述源极(151)与所述汲极(153)之间。

2.根据权利要求1所述的全环绕闸极水平贯穿式晶体管，其特征在于，所述闸极(130)间隔平行排布，所述闸极(130)的长度方向平行于所述源极(151)、所述阱层(152)和所述汲极(153)的排列方向。

3.根据权利要求1所述的全环绕闸极水平贯穿式晶体管，其特征在于，一个所述器件单元(150)覆盖多个所述闸极(130)，一个所述闸极(130)用于驱动多个所述器件单元(150)。

4.根据权利要求1所述的全环绕闸极水平贯穿式晶体管，其特征在于，所述闸极(130)采用纳米管制成。

5.根据权利要求1所述的全环绕闸极水平贯穿式晶体管，其特征在于，所述绝缘层(140)的材料为二氧化硅。

6.一种全环绕闸极水平贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述全环绕闸极水平贯穿式晶体管的制备方法包括：在衬底(110)上生长隔离层(120)；

在所述隔离层(120)上一次性生长多个间隔排布的闸极(130)；

在所述闸极(130)和所述隔离层(120)上生长绝缘层(140)；

在所述绝缘层(140)上生长至少一个器件单元(150)，包括：在所述绝缘层(140)上沉积外延层(160)；

对所述外延层(160)进行掺杂，由所述外延层(160)形成源极(151)和汲极(153)，并在所述源极(151)与所述汲极(153)之间形成阱层(152)。

7.根据权利要求6所述的全环绕闸极水平贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述闸极(130)采用纳米管制成。

8.根据权利要求6所述的全环绕闸极水平贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述由所述外延层(160)形成源极(151)和汲极(153)，并在所述源极(151)与所述汲极(153)之间形成阱层(152)的步骤包括：平行于所述闸极(130)的长度方向依次排布所述源极(151)、所述阱层(152)和所述汲极(153)。