1.一种碳化硅门极可关断晶闸管，其元胞结构包括阴极结构、漂移区结构、门极结构和阳极结构；所述阳极结构包括P型衬底(2)和位于P型衬底(2)下表面的阳极金属(1)；所述漂移区结构包括N‑漂移区(4)和位于N‑漂移区(4)下表面的N+场截止层(3)；其特征在于，在漂移区结构和阳极结构之间还具有P+衬底缺陷抑制缓冲层(11)，即P+衬底缺陷抑制缓冲层(11)位于N+场截止层(3)和P型衬底(2)之间；所述门极结构包括P+门极缓冲层(12)、P‑门极层(13)、P+门极重掺杂区(6)、门极金属(8)；所述P+门极缓冲层(12)位于N‑漂移区(4)上表面，P‑门极层(13)位于P+门极缓冲层(12)上表面，P+门极重掺杂区(6)位于P‑门极层(13)上层一侧，门极金属(8)覆盖P+门极重掺杂区(6)上表面，并向两侧延伸至P‑门极层(13)上表面；所述阴极结构包括N+阴极区(7)以及位于N+阴极区(7)上表面的金属层(9)；N+阴极区(7)位于P‑门极层(13)上表面远离门极金属(8)的一端；

所述的P+门极缓冲层(12)的掺杂浓度高于N‑漂移区(4)和P‑门极层(13)的掺杂浓度，用于使得P‑门极层(13)避免穿通击穿并承受更大的电压。

2.根据权利要求1所述的碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于，所述的P+门极缓冲层‑3

(12)的厚度为0.1～5μm，掺杂浓度范围大于1e17cm 。