1.一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A(1)、集电插针B(2)、集电插针C(3)和IGBT管主体(5)，其特征在于：所述IGBT管主体(5)的下端安装有集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)，所述集电插针A(1)位于集电插针B(2)的左侧，所述集电插针C(3)位于集电插针B(2)的右侧，所述集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的上端外部套接有插针加固装置(4)，所述IGBT管主体(5)的后端向上贯穿有门极导电片(6)，所述门极导电片(6)靠近上侧中心处内部设置有固定圆孔(7)，所述门极导电片(6)靠近上侧左右两端外壁内部均设置有固定卡口(8)，所述插针加固装置(4)包括绝缘加固块(9)、密封垫(10)、加固与限制槽(11)和半圆限制块(12)，所述绝缘加固块(9)竖向内部设置有三个等距排列的加固与限制槽(11)，三个所述加固与限制槽(11)分别对应套接在集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的外部，所述绝缘加固块(9)的顶端设置有密封垫(10)，所述密封垫(10)的顶端通过封装胶与IGBT管主体(5)固定连接，三个所述加固与限制槽(11)的前后两端内壁上均设置有半圆限制块(12)。

2.根据权利要求1所述的一种双面散热半导体IGBT管，其特征在于：所述集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的形状大小以及结构组成均相同，所述集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)均与IGBT管主体(5)电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种双面散热半导体IGBT管，其特征在于：所述门极导电片(6)、集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)均采用高导电的金属制成，所述门极导电片(6)的厚度大于集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的厚度。

4.根据权利要求1所述的一种双面散热半导体IGBT管，其特征在于：所述IGBT管主体(5)可根据使用需求在前后两端外壁上粘接散热片，所述IGBT管主体(5)的外壳采用绝缘材质制成，所述IGBT管主体(5)的外壳的整体颜色呈黑色。

5.根据权利要求1所述的一种双面散热半导体IGBT管，其特征在于：所述半圆限制块(12)整体形状呈半圆柱体，所述半圆限制块(12)采用绝缘材质制成，所述集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)与IGBT管主体(5)呈垂直状态时集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的前后两端外壁均不与半圆限制块(12)接触。