1.一种半导体压腔控制装置，其特征在于，包括增压装置、管路、粗调阀和精调阀；在所述管路的两端分别设置有相互连通的第一接口和第二接口，所述第一接口与所述增压装置连接，所述第二接口用于连接反应箱的半导体腔室；所述粗调阀和所述精调阀分别设置于所述管路上，用于分别调节所述半导体腔室的压力。

2.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，所述精调阀位于所述增压装置和所述粗调阀之间。

3.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，所述粗调阀为蝴蝶阀。

4.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，所述精调阀为针型阀或球型阀。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别与所述粗调阀和所述精调阀电连接，用于在调节所述半导体腔室压力时，先调节所述粗调阀的阀门至第一预设开口后，再调节所述精调阀的阀门至第二预设开口。

6.如权利要求5所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，还包括与所述控制器电连接的压力传感器，所述压力传感器设置于所述反应箱，用于采集所述反应箱内的压力信息；所述控制器用于根据所述压力信息控制所述粗调阀和所述精调阀调节所述半导体腔室的压力。

7.如权利要求1至4任一项所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，在所述管路上还设置有截止阀。

8.一种快速热处理装置，其特征在于，包括具有半导体腔室的反应箱以及如权利要求1至7任一项所述的导体压腔控制装置；所述导体压腔控制装置的第二接口与所述反应箱的半导体腔室连接。

9.如权利要求8所述的快速热处理装置，其特征在于，在所述反应箱内设置有工位，所述工位用于承载半导体器件；在所述半导体腔室内还设置有与所述工位对应的热源装置。

10.如权利要求9所述的快速热处理装置，其特征在于，所述热源装置为激光源装置。