1.一种零秒速热高温陶瓷发热体冷烧结制备方法，其特征在于，包括：将按质量份：15％～25％的高岭土、3％～10％的烧结助剂、15％～25％的电阻材料以及5％～20％的石墨或石墨烯材料混合形成第一混合料；

将所述第一混合料加入水，形成浆料制作成条形胚体，在所述条形浆料的两端均嵌入导电结构，并在50～100℃的温度下烘干，形成发热材料；

将所述发热材料的表面浸渍高导热陶瓷料浆，并在50～80℃的温度下烘干，形成发热陶瓷胚体；

将所述发热陶瓷胚体在还原气氛中以950～1300℃的温度烧结40～60min，并随炉冷却；

所述高导热陶瓷料浆的制作方法包括：

将按质量份为：2％～10％的烧结助剂、90％～98％的碳化硅混合均匀，形成第三混合料；

将按质量份为：50％～60％的第三混合料和40％～50的水搅拌。

2.如权利要求1所述的零秒速热高温陶瓷发热体冷烧结制备方法，其特征在于，所述烧结助剂的制作方法包括：将按质量份：3％～9％的氧化锌、1％～6％的氧化铝、20％～27％的氧化钠、34％～

58％的氧化磷、15％～24％的氧化钙混合形成第二混合料；

将所述第二混合料在430～470℃的温度下煅烧35～45min，之后在830～870℃的温度下煅烧35～45min，之后在920～960℃的温度下煅烧35～45min，并随炉冷却；

将随炉冷却得到的产物粉碎后过55～65目筛。

3.如权利要求1所述的零秒速热高温陶瓷发热体冷烧结制备方法，其特征在于，所述还原气氛中的气体为氮气或氦气。

4.如权利要求1所述的零秒速热高温陶瓷发热体冷烧结制备方法，其特征在于，所述导电结构为铜导线。

5.如权利要求1所述的零秒速热高温陶瓷发热体冷烧结制备方法，其特征在于，所述电阻材料包括煅烧高岭土、氮化硅中的至少一种。