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专利号: 2018111194437
申请人: 桂林电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于:包括MoO3浆料制备、MoO3陶瓷制备,操作步骤如下:步骤1:以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料;

步骤2:把浆料放入模具中施加一定的压力,同时按照一定的升温速率将模具加热至一定的温度,并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1所述纯水或氨水溶液或乙酸溶液的加入量占MoO3粉体质量百分比的5 50%。

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3.根据权利要求1或2所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的氨水溶液的浓度为0.1 13.8mol/L,乙酸溶液的浓度为0.1 17.5mol/L。

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4.根据权利要求1所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2所述的压力为100 400MPa。

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5.根据权利要求1所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2所述的升温速率为2 20℃/min。

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6.根据权利要求1所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2所述的加热至一定的温度为100 300℃。

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7.根据权利要求1所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2所述的保温保压时间为0.5 4h,保温时间优选1 2小时。

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8.根据权利要求4所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的压力为单向轴压,压力优选250 330MPa。

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9.根据权利要求6所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的温度优选200 300℃。

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10.根据权利要求1或5所述的一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的升温速率优选10℃/min的升温速率将模具加热至50℃,保温10min;再以10℃/min升温速率加热至超低温冷烧结MoO3陶瓷的温度。