1.一种半导体封装的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一第一临时衬底，在所述第一临时衬底上形成一刻蚀停止层，接着在所述刻蚀停止层上形成一第一导电层，接着在所刻蚀停止层和所述第一导电层上形成第一钝化层，去除部分所述第一钝化层以暴露部分的所述第一导电层，接着在所述第一导电层和所述第一钝化层上形成第二导电层，使得所述第二导电层与所述第一导电层电连接，接着在所述第一钝化层和所述第二导电层上形成形成第二钝化层，去除部分所述第二钝化层以暴露部分的所述第二导电层，接着在所述第二导电层上形成多个第一导电凸块；

(2)提供第二临时衬底，在所述第二临时衬底上设置多个半导体芯片，每个所述半导体芯片具有有源面以及与所述有源面相对的非有源面，所述半导体芯片的所述有源面面向所述第二临时衬底，在所述非有源面的每条边上均形成多个间隔设置第一凹槽，其中，位于每条边的中间区域的第一凹槽的深度最浅，而位于每条边的两端部的第一凹槽的深度最深，且从所述中间区域到所述端部的第一凹槽的深度逐渐增大；

(3)提供第三临时衬底，将所述第三临时衬底粘附至所述多个半导体芯片的所述非有源面，接合去除所述第二临时衬底，接着在每个所述半导体芯片的所述有源面的焊垫上形成第二导电凸块；

(4)接着将多个所述半导体芯片接合至所述第二导电层上，使得每个所述半导体芯片上的所述第二导电凸块连接至相应的所述第一导电凸块上，接着在所述刻蚀停止层、所述第一钝化层以及所述第二钝化层中形成多个环形凹槽，在俯视图中每个所述环形凹槽围绕相应的所述半导体芯片，每个所述环形凹槽均暴露所述第一临时衬底的上表面；

(5)接着在所述第一临时衬底上形成第一模塑层，其部分所述第一模塑层嵌入到每个所述环形凹槽中，接着去除所述第一临时衬底，沿着每个所述环形凹槽实施切割工艺，以形成多个分离的第一封装构件；

(6)提供一线路基板，在所述线路基板的上表面的每条边上均形成多个间隔设置第二凹槽，其中，位于每条边的中间区域的第二凹槽的深度最深，而位于每条边的两端部的第二凹槽的深度浅，且从所述中间区域到所述端部的第二凹槽的深度逐渐减小，接着将多个所述第一封装构件接合至所述线路基板；

(7)接着在所述线路基板上形成第二模塑层，所述第二模塑层覆盖所述第一封装构件以及所述线路基板，使得部分的所述第二模塑层嵌入到所述第二凹槽中。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1中，所述刻蚀停止层为氮化硅或碳化硅，所述第一导电层和所述第二导电层的材料是铜、铝、银、镍、钛、钯、金、铬、锡、钨中的一种或多种，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、聚酰亚胺、PBO、BCB、PMMA、聚乙烯醇中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的半导体封装的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，在所述第二临时衬底上设置一可剥离粘结层，进而将所述半导体芯片粘结在所述可剥离粘结层上，所述位于每条边的中间区域的第一凹槽的深度与所述半导体芯片的厚度的比值为0.2-

0.3，所述位于每条边的两端部的第一凹槽的深度与所述半导体芯片的厚度的比值为0.5-

0.6。

4.根据权利要求1所述的半导体封装的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述第二导电凸块通过焊料与所述第一导电凸块连接，所述环形凹槽通过激光烧蚀工艺形成，在水平方向上所述半导体芯片与所述环形凹槽之间具有一间隙，所述间隙的宽度为300-

800微米。

5.根据权利要求1所述的半导体封装的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，形成所述环形凹槽之前，在所述半导体芯片与所述第二钝化层之间的空间中填入一保护层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中，位于所述线路基板的每条边的中间区域的第二凹槽的深度与所述线路基板的厚度的比值为

0.3-0.5，位于所述线路基板的每条边的两端部的第二凹槽的深度与所述线路基板的厚度的比值为0.1-0.2。

7.根据权利要求1所述的半导体封装的制备方法，其特征在于：在所述步骤(7)中，所述第二模塑层覆盖所述线路基板的四周侧壁。

8.一种半导体封装，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。