1.一种封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一线路基板，所述线路基板具有相对的第一表面和第二表面，所述线路基板的所述第一表面上分别具有第一接触焊盘、第二接触焊盘，所述线路基板的所述第二表面上具有第三接触焊盘；

2)接着在所述线路基板的所述第一接触焊盘上形成第一焊料结构，提供一第一封装结构，在所述第一封装结构上形成具有开口的光刻胶层，在所述开口中形成第一导电柱，所述第一导电柱与所述第一封装结构电连接，在所述第一导电柱的顶面形成第一盲孔结构，接着将所述第一封装结构安装在所述线路基板上，使得所述第一导电柱嵌入到所述第一焊料结构中，使得部分焊料嵌入到所述第一盲孔结构中且所述第一导电柱抵接到所述线路基板上，然后利用第一激光照射所述第一焊料结构，以释放所述第一焊料结构中的应力，且利用第一激光照射第一焊料结构时，会在第一焊料结构的表面形成凹坑；

3)接着在所述线路基板的所述第二接触焊盘上形成第二焊料结构，提供一第二封装结构，在所述第二封装结构上形成具有开口的光刻胶层，在所述开口中形成第二导电柱，所述第二导电柱与所述第一封装结构电连接，在所述第二导电柱的顶面形成第二盲孔结构，接着将所述第二封装结构安装在所述线路基板上，使得所述第二导电柱嵌入到所述第二焊料结构中，使得部分焊料嵌入到所述第二盲孔结构中且所述第二导电柱抵接到所述线路基板上，然后利用第二激光照射所述第二焊料结构，以释放所述第二焊料结构中的应力，且利用第二激光照射第二焊料结构时，会在第二焊料结构的表面形成凹坑；

4)接着在所述线路基板的第一表面上形成封装外壳，所述封装外壳完全包裹所述第一封装结构和所述第二封装结构，接着在所述线路基板的所述第三接触焊盘上形成导电焊球。

2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述线路基板中具有导电结构，所述第一接触焊盘以及所述第二接触焊盘分别通过相应的导电结构与所述第三接触焊盘电连接。

3.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，第一导电柱的材料为银、铜、铝中的一种或多种，所述第一导电柱的制备方法为热蒸镀、磁控溅射、电子束蒸发中的一种，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一盲孔结构，所述第一焊料结构完全包裹所述第一导电柱，所述第一激光的功率为50‑100W，所述第一激光的光斑直径为的50‑100微米。

4.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，第二导电柱的材料为银、铜、铝中的一种或多种，所述第二导电柱的制备方法为热蒸镀、磁控溅射、电子束蒸发中的一种，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第二盲孔结构，所述第二焊料结构完全包裹所述第二导电柱，所述第二激光的功率为10‑40W，所述第二激光的光斑直径为的100‑200微米。

5.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤4)中，所述封装外壳含有电磁屏蔽层。

6.一种封装结构，其特征在于，采用权利要求1‑5任一项所述的方法制备形成的。