1.一种具有多晶硅电子通道的SA‑LIGBT器件，其特征在于，从下至上包括P型衬底

（17）、SOI隔离层（16）和顶层半导体区域；所述顶层半导体区域从左至右包括阴极（1）、P+阴极（2）、P‑body（3）、N+电子发射极（4）、栅极（5）、栅氧化层（6）、N型漂移区（7）和阳极区域；所述阳极区域从左至右包括N‑buffer（8）、P+阳极（9）、阳极（10）、多晶硅层（12）、N+阳极（14）和阳极（10），还包括设置在多晶硅层（12）左/右侧下表面的浮空层，以及设置在多晶硅层（12）下表面的二氧化硅隔离层（15），其中浮空层与二氧化硅隔离层（15）左/右接触；所述浮空层包括P型浮空层（11）或N型浮空层（13），或两者同时存在；所述P型浮空层（11）设置在多晶硅层（12）左侧下表面；所述N型浮空层（13）设置在多晶硅层（12）右侧下表面；

所述二氧化硅隔离层（15）上表面被多晶硅层（12）覆盖，下表面与SOI隔离层（16）接触，将N型漂移区（7）分为左右两个部分。

2.根据权利要求1所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述P+阳极（9）和P型浮空层（11）之间间隔一段间距。

3.根据权利要求1所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述N型浮空层（13）和N+阳极（14）接触；阳极（10）分为两部分，分别位于P+阳极（9）和N+阳极（14）的正上方。

4.根据权利要求1所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述P型浮空层（11）为轻掺杂的P型半导体，且掺杂浓度根据需求调节。

5.根据权利要求1所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述N型浮空层（13）为轻掺杂的N型半导体，且掺杂浓度根据需求调节。

6.根据权利要求1所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述阴极（1）位于P+阴极（2）和N+电子发射极（4）的上方，栅极（5）位于栅氧化层（6）的上方；P+阴极（2）和N+电子发射极（4）均被P‑body（3）包围；P‑body（3）和阳极区域被N型漂移区（7）分离。

7.根据权利要求1所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述多晶硅层（12）的掺杂浓度根据需求调节。

8.根据权利要求1或3所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述阴极（1）和阳极（10）的材料为金属。

9.根据权利要求1或6所述的SA‑LIGBT器件，其特征在于，栅极（5）的材料为金属或多晶硅。