1.一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，其特征在于：依次设置发射极(1)、N型电子发射极(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P‑body(5)、N‑bufferⅠ(7)、集电极Ⅰ(8)、P‑collector(9)、N‑bufferⅡ(10)、P型电子阻挡层P‑base(11)、N‑collector(12)、集电极Ⅱ(16)，下方为N型漂移区(6)、介质隔离层(14)和P型衬底(15)；

所述栅控集电极(17)的上侧、左侧和下侧被SiO2绝缘层(13)覆盖，右侧与SiO2绝缘层(13)的右侧平齐；

所述N‑bufferⅠ(7)的上侧与N型漂移区(6)的上侧平齐，左侧、下侧和右侧被N型漂移区(6)覆盖；所述集电极Ⅰ(8)的下侧与P‑collector(9)的上侧接触；所述P‑collector(9)的左侧和下侧被N‑bufferⅠ(7)覆盖；所述N‑bufferⅡ(10)的上侧与N型漂移区(6)的上侧平齐，左侧与P‑collector(9)的右侧接触，下侧被N型漂移区(6)覆盖，右侧与P型电子阻挡层P‑base(11)的左侧接触；所述P型电子阻挡层P‑base(11)的上侧与N型漂移区(6)的上侧平齐，下侧与SiO2绝缘层(13)的上侧接触，右侧与N‑collector(12)的左侧接触；所述N‑collector(12)的上侧与N型漂移区(6)的上侧平齐，下侧与SiO2绝缘层(13)的上侧接触，右侧与N型漂移区(6)的右侧平齐。

2.根据权利要求1所述的一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，其特征在于：所述集电极Ⅰ(8)和集电极Ⅱ(16)分别放置在P‑collector(9)和N‑collector(12)的上方。

3.根据权利要求2所述的一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，其特征在于：所述栅控集电极(17)和P型电子阻挡层P‑base(11)、N‑collector(12)之间由SiO2绝缘层(13)隔离。

4.根据权利要求3所述的一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，其特征在于：所述栅控集电极(17)和N型漂移区(6)之间由SiO2绝缘层(13)隔离；

所述集电极Ⅰ(8)、集电极Ⅱ(16)和栅控集电极(17)在使用时施加的电压完全相同。

5.根据权利要求1所述的一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，其特征在于：所述N‑bufferⅠ(7)和N‑bufferⅡ(10)的浓度能够分别独立控制。