1.一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，其特征在于：依次设置发射极(1)、N型电子发射极(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P-body(5)、N-bufferⅠ(7)、集电极Ⅰ(8)、P-collector(9)、N-bufferⅡ(10)、P型电子阻挡层P-base(11)、N-collector(12)、集电极Ⅱ(16)，下方为N型漂移区(6)、介质隔离层(14)和P型衬底(15)；

所述P型电子阻挡层P-base(11)和N-collector(12)的正下方为SiO2绝缘层(13)和栅控集电极(17)。

2.根据权利要求1所述的一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述集电极Ⅰ(8)和集电极Ⅱ(16)分别放置在P-collector(9)和N-collector(12)的上方；

所述栅控集电极(17)放置在P型电子阻挡层P-base(11)和N-collector(12)的正下方。

3.根据权利要求2所述的一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述栅控集电极(17)和P型电子阻挡层(11)、N-collector(12)之间由SiO2绝缘层(13)隔离。

4.根据权利要求3所述的一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述栅控集电极(17)和N型漂移区(6)之间由SiO2绝缘层(13)隔离；

所述集电极Ⅰ(8)、集电极Ⅱ(16)和栅控集电极(17)在使用时施加的电压完全相同。

5.根据权利要求1所述的一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述N-bufferⅠ(7)和N-bufferⅡ(10)的浓度能够分别独立控制。