1.一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：包括SOI结构和设置在所述SOI结构上的顶层半导体区域，所述SOI结构从下至上包括P型衬底(9)、绝缘介质层(8)、N型漂移区(7)，所述顶层半导体区域包括阴极金属(1)、P型重掺杂阴极区(5)、N型重掺杂阴极区(2)、栅氧化层(3)、栅极(4)、P-body(6)和阳极区域。栅氧化层(3)位于栅极(4)下；所述N型重掺杂阴极区(2)位于P型重掺杂阴极区(5)右侧，所述阴极金属(1)位于P型重掺杂阴极区(5)和N型重掺杂阴极区(2)上侧，所述栅氧化层(3)位于阴极金属(1)右方，所述栅极(4)设置在栅氧化层(3)上侧，所述P型重掺杂阴极区(5)和N型重掺杂阴极区(2)均被P-body(6)包围；阳极区域和P-body(6)之间被N型漂移区(7)隔离。

2.根据权利要求1所述的具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述阳极区域包括N型缓冲层(10)、P型重掺杂阳极区(11)、阳极金属(12)、阳极介质隔离层(13)、N型重掺杂阳极区(14)。

3.根据权利要求2所述的具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述P型重掺杂阳极区(11)位于N型缓冲层(10)右侧，且被N型缓冲层(10)包裹；阳极金属(12)位于器件表面和内部，在表面与P型重掺杂阳极区(11)和阳极介质隔离层(13)的上方接触，在内部与阳极介质隔离层(13)的右侧和N型重掺杂阳极区(14)上方相接触；阳极介质隔离层(13)位于N型缓冲层(10)右侧，且在器件内部将N型缓冲层(10)和阳极金属(13)隔离。

4.根据权利要求3所述的具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述N型重掺杂阳极区(14)与阳极金属(12)的下方相接触，其横向宽度与阳极金属(12)在器件内部的横向宽度一致。

5.根据权利要求4所述的具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：还包括P型浮空层(15)，所述P型浮空层(15)设置在N型重掺杂阳极区(14)下端。

6.根据权利要求4所述的具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：还包括P型浮空层(15)，所述P型浮空层(15)设置在阳极介质隔离层(13)下端，并与N型重掺杂阳极区(14)接触。

7.根据权利要求1-6任一所述的具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述绝缘介质层(8)和阳极介质隔离层(13)的材料为二氧化硅，阴极金属(1)和阳极金属(12)的材料为铜或铝，栅极(4)的材料为铜、铝或多晶硅。