1.一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述器件的集电极区域中含有n个横向P柱，所述n为正整数，所述n个横向P柱的纵向宽度相等，相邻P柱之间形成的纵向间隔相等，所示P柱中靠近所述器件中P‑body(5)的一端纵向对齐，所述P柱中最底层P柱的另一端与所述器件的侧边界相连，所述最底层P柱具有最大的横向长度，其余P柱的横向长度相等；

所述P柱均被N‑buffer(7)包围，所述P柱中最顶层P柱上方横向并列设置有P‑collector(8)和N‑collector(10)，所述P‑collector与所述N‑collector的纵向宽度相等，所述最顶层P柱与P‑collector形成的纵向间隔与相邻P柱之间的纵向间隔相等，所述N‑collector的一端与所述P‑collector相连，所述N‑collector的另一端与所述器件的侧边界相连；所述P‑collector和N‑collector的横向长度之和等于所述最底层P柱的横向长度。

2.根据权利要求1所述一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述集电极区域还包括设置在所述P‑collector和N‑collector正上方的集电极(9)。

3.根据权利要求1所述一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述P柱为重掺杂的P型半导体。

4.根据权利要求1～3任一项所述一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述器件还包括从下至上依次设置的P型衬底(15)、SiO2介质隔离层(14)、N型漂移区(6)。

5.根据权利要求4所述一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述器件还包括P‑body(5)，所述P‑body与所述集电极区域被所述N型漂移区隔离后分别位于所述器件的两端，所述P‑body上部还设置有N+电子发射区(2)，所述N+电子发射区上部从左到右依次设置有发射极(1)、栅极(3)、栅氧化层(4)，所述栅氧化层位于所述栅极正下方。

6.根据权利要求5所述一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述n为3时，所述器件的集电极区域中含有从上到下依次设置的纵向宽度相等的P柱I(11)、P柱Ⅱ(12)、P柱Ⅲ(13)。

7.根据权利要求6所述一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，其特征在于，所述P柱I与P柱Ⅱ之间形成的纵向间隔与P柱Ⅱ和P柱Ⅲ之间形成的纵向间隔相等，所述P柱I和P柱Ⅱ的横向长度相等且小于所述P柱Ⅲ的横向长度，所述P柱I、P柱Ⅱ和P柱Ⅲ中靠近所述器件中P‑body的一端纵向对齐，所述P柱Ⅲ的另一端与所述器件的侧边界相接触。