1.一种存储单元，其特征在于，包括：依次设置的第一沟道层(2)、隧穿层(3)、电荷俘获层(4)、反铁电薄膜层(1)和控制栅电极(5)；

所述控制栅电极(5)用于提供控制电压；

所述反铁电薄膜层(1)用于在所述控制电压的作用下增强隧穿层(3)的电场；

所述电荷俘获层(4)用于通过俘获从所述沟道层(2)注入的电荷存储信息。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：填充层(6)，设置于所述第一沟道层(2)内，用于减少所述第一沟道层(2)的体积。

3.根据权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，所述反铁电薄膜层(1)由反铁电薄膜材料制成，为Hf1-xZrxO2(0.5

4.根据权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，电荷俘获层(4)为氮化硅(Si3N4)和绝缘氮化铪薄膜(HfNx，x不小于1.3)中的任意一种。

5.根据权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，所述隧穿层(3)为二氧化硅(SiO2)、二氧化铪(HfO2)和掺杂二氧化铪中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，所述沟道层(2)为多晶硅(Si)、多晶锗(Ge)、多晶硅锗(SiGe)，或掺杂的多晶硅(Si)、掺杂的多晶锗(Ge)、掺杂的多晶硅锗(SiGe)，掺杂元素为硼(B)、磷(P)和砷(As)中的一种或多种。

7.一种存储器，其特征在于，包括：基底(10)、公共源极(9)、多个选择晶体管(7)和垂直于所述基底(10)的多组存储单元串(100)；

其中所述存储单元串(100)由多个如权利要求1-6任一项所述的存储单元串联组成，相邻的所述存储单元的控制栅电极层(5)之间均设置有控制隔离层(8)；

所述公共源极(9)设置在所述基底(10)上；

每个所述选择晶体管(7)，一端设置在所述公共源极(9)上，另一端的表面上设置有所述存储单元串(100)。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，

所述选择晶体管(7)包括由内至外依次设置的第二沟道层(71)、选择栅介质(72)和选择栅电极(73)；

所述第二沟道层(71)与第一沟道层(2)连接。

9.一种存储器的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求7或8所述的存储器，包括：S1，在基底(10)上形成公共源极(9)；

S2，在所述公共源极(9)上形成多个选择晶体管(7)；

S3，在所述选择晶体管(7)表面上依此交叠沉积隔离层(8)和预设层数的控制栅电极层(5)，以形成堆叠层；

S4,在所述多个选择晶体管(7)上方形成预设尺寸的第一通孔，且所述第一通孔贯穿于所述堆叠层；

S5，在所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上，依次沉积形成反铁电薄膜层(1)、电荷俘获层(4)和隧穿层(3)；

S6，采用刻蚀法依次去除沉积在所述第一通孔的底部的隧穿层(3)、电荷俘获层(4)和反铁电薄膜层(1)，以使所述第一通孔贯穿直至所述选择晶体管(7)的顶部；

S7，在所述隧穿层(3)的内壁上沉积形成第一沟道层(2)。

10.根据权利要求9所述的存储器的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一沟道层(2)的内壁上沉积填充层(6)以充满所述第一通孔。