1.一种静态随机存储单元，其特征在于，包括：锁存模块，包括第一端和第二端；所述锁存模块的第一端与第二端的电位相反；

第一传输模块，连接于所述锁存模块的第一端和第一位线之间；

第二传输模块，连接于所述锁存模块的第二端和第二位线之间；

其中，所述第一传输模块和/或所述第二传输模块包括：并联连接且沟道类型相反的两个晶体管。

2.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述两个晶体管分别为N型晶体管和P型晶体管，所述N型晶体管的栅极与第一字线连接；所述P型晶体管的栅极与第二字线连接；所述第二字线的电位与所述第一字线的电位相反。

3.根据权利要求2所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述第一传输模块包括第一N型晶体管和第一P型晶体管，所述第一N型晶体管和所述第一P型晶体管并联连接；

所述第二传输模块包括第二N型晶体管和第二P型晶体管，所述第二N型晶体管和所述第二P型晶体管并联连接。

4.根据权利要求2所述的静态随机存储单元，其特征在于，还包括：半导体层，设置有第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案相邻设置；其中，所述第一半导体图案为所述N型晶体管的有源层，所述第二半导体图案为所述P型晶体管的有源层。

5.根据权利要求4所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案沿同一方向延伸。

6.根据权利要求4所述的静态随机存储单元，其特征在于，还包括：第一金属层，所述第一金属层包括多条第一金属连接线和多条第二金属连接线，所述第一金属连接线连接所述P型晶体管的第一极和所述N型晶体管的第一极；所述第二金属连接线连接所述P型晶体管的第二极、所述N型晶体管的第二极和所述锁存模块。

7.根据权利要求4所述的静态随机存储单元，其特征在于，还包括：第二金属层，所述第一字线和所述第二字线设置于所述第二金属层；所述第一字线通过过孔与所述N型晶体管连接，所述第二字线通过过孔与所述P型晶体管连接。

8.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述锁存模块包括第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端连接，并作为所述锁存模块的输入端；所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端连接，并作为所述锁存模块的输出端。

9.根据权利要求8所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述第一反相器包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极短接后作为所述第一反相器的输入端，所述第一晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第一极短接后作为所述第一反相器的输出端；所述第二晶体管的第二极与第二电源线连接；所述第二电源线的电位与所述第一电源线的电位相反；

所述第二反相器包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极短接后作为所述第二反相器的输入端，所述第三晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第一极短接后作为所述第二反相器的输出端；所述第四晶体管的第二极与所述第二电源线连接；

其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管和所述第四晶体管为N型晶体管。

10.一种静态随机存储器，其特征在于，包括：呈阵列排布的多个如权利要求1‑9任一项所述的静态随机存储单元。