1.一种NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供一设置有字线区和位线区的硅衬底，且所述硅衬底中还设置有若干凸起于该硅衬底表面的浅沟槽隔离；

步骤S2：沉积隧穿氧化层覆盖所述硅衬底的上表面及所述浅沟槽隔离暴露的表面后，继续在所述隧穿氧化层的表面制备多晶硅浮栅层；

步骤S3：采用平坦化工艺，去除所述多晶硅浮栅层至位于所述浅沟槽隔离上方的所述隧穿氧化层的上表面后，沉积绝缘层覆盖剩余的多晶硅浮栅层的上表面及所述隧穿氧化层暴露的表面；

步骤S4：刻蚀位于所述字线区上的所述绝缘层至所述剩余的多晶硅浮栅层的上表面，以形成字线凹槽；

步骤S5：对所述字线凹槽暴露的所述剩余的多晶硅浮栅层进行减薄工艺，以形成浮栅，并沉积栅极绝缘层覆盖剩余的绝缘层于浮栅上表面及所述字线凹槽的侧壁；

步骤S6：制备多晶硅控栅层充满所述字线凹槽，并对所述多晶硅控栅层进行金属硅化工艺后，以形成位于所述字线凹槽底部且覆盖所述浮栅的控制栅，以及位于所述字线凹槽顶部且覆盖所述控制栅的低电阻层；

步骤S7：去除位于所述字线凹槽之间的绝缘层至所述硅衬底的上表面，以形成上窄下宽的空气隙凹槽；

步骤S8：对所述空气隙凹槽暴露的硅衬底进行离子注入，以于相邻的空气隙凹槽的底部形成对称的源漏区；

步骤S9：密封所述空气隙凹槽，以形成若干上窄下宽的空气隙。

2.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述硅衬底包括NAND闪存区域和CMOS电路区域，且所述字线区和所述位线区设置于所述NAND闪存区域。

3.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离的材质为氧化物或氮化物。

4.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械抛光工艺。

5.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法制备所述栅极绝缘层。

6.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材质为ONO、HfO2、Ta2O5或Al2O3。

7.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为10-20nm。

8.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：采用Ni进行所述金属硅化工艺。

9.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：采用快速热处理或炉管热处理进行所述金属硅化工艺。

10.如权利要求1所述的NAND型闪存单元结构的制备方法，其特征在于，所述低电阻层的材质为NiSi。