1.一种在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：包括，将硝酸镉、4,4-二苯乙烯二羧酸和9-二(4-吡啶)乙烯-芴加入到水和N,N-二甲基乙酰胺混合溶液中，搅拌制得稳定悬浮液；

将所述制得的悬浮液置于密闭的反应釜中加热反应，然后缓慢降温至室温，产物经过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料[Cd2(L)(BPEA)(H2O)]n；其中，反应起始物硝酸镉、4,4-二苯乙烯二羧酸和9-二(4-吡啶)乙烯-芴的摩尔比为1:0.5～

2:0.5～2。

2.如权利要求1所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述将硝酸镉、4,4-二苯乙烯二羧酸和9-二(4-吡啶)乙烯-芴加入到水和N,N-二甲基乙酰胺混合溶液中，其中，每添加0.1mmol硝酸镉所需水和N,N-二甲基乙酰胺混合溶剂的体积范围为5～10mL。

3.如权利要求2所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述溶剂水与N,N-二甲基乙酰胺的体积比为1:0.5～2。

4.如权利要求3所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述溶剂水与N,N-二甲基乙酰胺的体积比为1:1。

5.如权利要求1所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述加热反应的温度为140～180℃。

6.如权利要求1所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述加热反应的时间为68～82h。

7.如权利要求1所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述反应降温速率为2～7℃/h。

8.如权利要求1所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述搅拌制得稳定悬浮液，其中，搅拌速度为500～800r/min，时间为30～60min。

9.如权利要求1所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述反应起始物硝酸镉、4,4-二苯乙烯二羧酸与9-二(4-吡啶)乙烯-芴的摩尔比为0.1：0.1：0.05。

10.一种如权利要求1～9中任一所述在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法制得的产品。