1.一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备,其中H2bdc=对苯二甲酸、tpphz=四吡啶并[3,2-a:2′,3'-c:3″,2″-h:2″′,3″′-j]吩嗪、HOAc=醋酸,包括以下步骤:
1.1 将四吡啶并[3,2-a:2′,3'-c:3″,2″-h:2″′,3″′-j]吩嗪、硝酸镉和对苯二甲酸加入到水和N,N-二甲基乙酰胺中搅拌制得稳定悬浮液;
1.2 将步骤1.1中制得的悬浮液置于密闭的反应釜中加热反应,然后缓慢降温至室温,产物经过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·
2H2O}n;反应起始物四吡啶并[3,2-a:2′,3'-c:3″,2″-h:2″′,3″′-j]吩嗪、硝酸镉、对苯二甲酸的摩尔比为1:2~3:4~8。
2.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备,其特征在于0.05mmol硝酸镉所需反应溶剂水体积范围为2~4mL。
3.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备,其特征在于0.05mmol硝酸镉所需反应溶剂N,N-二甲基乙酰胺的体积范围为3~6mL。
4.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备,其特征于加热反应的温度范围为170~
190℃。
5.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备,其特征于加热反应的时间为80~90h。
6.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备,其特征于反应降温速率为2~5℃/h。