1.一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备，其中H2bdc＝对苯二甲酸、tpphz＝四吡啶并[3,2-a:2′,3'-c:3″,2″-h:2″′,3″′-j]吩嗪、HOAc＝醋酸，包括以下步骤：

1.1 将四吡啶并[3,2-a:2′,3'-c:3″,2″-h:2″′,3″′-j]吩嗪、硝酸镉和对苯二甲酸加入到水和N,N-二甲基乙酰胺中搅拌制得稳定悬浮液；

1.2 将步骤1.1中制得的悬浮液置于密闭的反应釜中加热反应，然后缓慢降温至室温，产物经过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·

2H2O}n；反应起始物四吡啶并[3,2-a:2′,3'-c:3″,2″-h:2″′,3″′-j]吩嗪、硝酸镉、对苯二甲酸的摩尔比为1:2～3:4～8。

2.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备，其特征在于0.05mmol硝酸镉所需反应溶剂水体积范围为2～4mL。

3.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备，其特征在于0.05mmol硝酸镉所需反应溶剂N,N-二甲基乙酰胺的体积范围为3～6mL。

4.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备，其特征于加热反应的温度范围为170～

190℃。

5.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备，其特征于加热反应的时间为80～90h。

6.根据权利要求1所述的一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2-OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备，其特征于反应降温速率为2～5℃/h。