1.一种极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法，其特征在于：包括，将硫酸镉、4,4‑二苯醚二羧酸(H2OBA)和9,10‑双(二(吡啶‑4‑基)亚甲基)‑9,10‑二氢蒽(L)加入水和乙醇(EtOH)的混合溶液中，搅拌制得稳定悬浮液；

将所述制得的悬浮液置于密闭的反应釜中加热反应，然后缓慢降温至室温，产物经过滤、超声洗涤、避光干燥即得到发光晶体材料[Cd1.5(L)(HOBA)(EtOH)(SO4)(H2O)]n；

所述硫酸镉、4,4‑二苯醚二羧酸和9,10‑双(二(吡啶‑4‑基)亚甲基)‑9,10‑二氢蒽(L)的摩尔比为1：1：0.25～1。

2.如权利要求1所述极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述水和乙醇混合溶液中，水与乙醇的体积比为1：0.5～2，且每添加0.1mmol硫酸镉所需水和乙醇混合溶剂的体积范围为4～8mL。

3.如权利要求1所述极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述加热反应的温度为130～150℃，加热反应时间为24～72h。

4.如权利要求1所述极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述降温速率为2～5℃/h，降至室温。

5.如权利要求1所述极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述超声洗涤溶剂为水和乙醇混合物，混合比例为水与乙醇的体积比为1：0.5～2。

6.如权利要求1所述极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述发光晶体材料[Cd1.5(L)(HOBA)(EtOH)(SO4)(H2O)]n的聚合度无限制。

7.如权利要求1～6任一所述极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法所制备发光晶体材料的应用，其特征在于：所述应用，包括，将制备的晶体材料分散到水中，紫外光照射后向加入含高锰酸根离子的水溶液，并在

427nm的激发光下测试其荧光强度。

8.如权利要求7所述应用，其特征在于：所述每1mg晶体材料需要50ml水溶解。

9.如权利要求7所述应用，其特征在于：所述紫外光照射时间为30min。