1.一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，包括基底(1)，所述基底(1)上设置有栅极(2)，所述栅极(2)上包裹有绝缘层(3)，所述绝缘层(3)上设置有有源层，所述有源层包括铟镓锌氧薄膜(4)、二维二硒化钨层(5)和硒化铅薄膜(6)；所述硒化铅薄膜(6)的左端设置有源极(7)，右端设置有漏极(8)；所述铟镓锌氧薄膜(4)设置在绝缘层(3)上方，所述二维二硒化钨层(5)设置在铟镓锌氧薄膜(4)上方，所述硒化铅薄膜(6)设置在二维二硒化钨层(5)上方。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述基底(1)采用绝缘材质，所述绝缘层(3)采用SU‑8光刻胶。

3.根据权利要求2所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述栅极(2)、源极(7)和漏极(8)采用电流喷墨打印机打印。

4.根据权利要求3所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述栅极(2)、源极(7)和漏极(8)材质为金属银。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述光电探测器采用如下方法制备：步骤1，依次用丙酮、异丙醇、离子水清洗基底(1)，然后吹干；

步骤2，采用导电银墨水在基底(1)表面通过电流喷墨打印技术制备栅极(2)；

步骤3，将SU‑8光刻胶利用匀胶机旋涂于栅极(2)表面2次，第一次速度为1000rpm，时间为15s，第二次速度为2000rpm，时间为45s，得到绝缘层(3)；

步骤4，打开充气阀，使磁控溅射室内部气压达到大气压强；清理溅射室后将铟镓锌氧靶材安装在溅射系统的靶位上并确保靶材与基材的距离适当，关闭溅射室后将溅射室抽至‑5一定的真空度，打开气泵并调整电离单元到5×10 Pa，向溅射室引入纯度99.999％以上惰性气体氩气作为工作气体，打开激活控制，开始起辉，待起辉完成打开靶挡板，设定射频时间为500s，输出功率为60W，依次打开旋转启停，射频启停和直流电流控制启停，开始镀膜，镀膜完成升高气压至大气气压，打开取出片子，得到铟镓锌氧薄膜(4)；

步骤5，采用液相剥离法LPE得到二硒化钨悬浮液，随后，将二硒化钨悬浮液采用1500r/min和2000r/min的速率分别旋涂15s和45s，于铟镓锌氧薄膜(4)上形成二维二硒化钨层(5)；

步骤6，在二维二硒化钨层(5)表面磁控溅射得到一层硒化铅薄膜(6)；

步骤7，利用电流喷墨打印技术，在硒化铅薄膜(6)的左端制备源极(7)，在硒化铅薄膜(6)的右端制备漏极(8)，得到样品；

步骤8，对样品进行退火处理，150℃下加热30分钟。

6.根据权利要求5所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，步骤2中，所述电流喷墨打印技术采用方波模式，频率为200HZ，幅度为1000，占空比为15，打印完毕经过退火得到所需电极。

7.根据权利要求6所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，步骤5中，采用液相剥离法LPE得到二硒化钨悬浮液，具体包括如下步骤：步骤5‑1，将50mg二硒化钨在100ml乙醇和水的混合溶剂以6000r/min高速剪切分散X1分钟，得到分散后的二硒化钨悬浮液；

步骤5‑2，将分散后的二硒化钨悬浮液以5000r/min的速度在离心机中进行离心X2小时后取上清液得到二硒化钨悬浮液。

8.根据权利要求7所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，步骤5‑1中，X1取值为60。

9.根据权利要求8所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，步骤5‑2中，X2取值为1。

10.根据权利要求9所述的一种高灵敏度易启动的晶体管型光电探测器，其特征在于，步骤7包括：预先换好针头添加银墨水，不断调节针头位置使针头能够被相机清楚观察到且距离基底一定距离，设置如下参数：采用方波模式，频率为200HZ，幅度为1000，占空比为15，校准好相机后开始打印，打印完毕经过退火得到所需电极。