1.一种电容式光电探测器，其特征在于，包括：第一电极板、第二电极板和光吸收部；所述光吸收部设于所述第一电极板和所述第二电极板之间，所述第一电极板和所述第二电极板二者同所述光吸收部之间均具有间隙；所述光吸收部包括至少两组光电效应单元，所述光电效应单元由能够独立发挥光电效应的材料制成；其中，所述光电效应单元为pn结，沿由所述第一电极板指向所述第二电极板的方向，所述光电效应单元之间呈连续设置。

2.根据权利要求1所述的电容式光电探测器，其特征在于，沿由所述第一电极板指向所述第二电极板的方向，所述光电效应单元的厚度均相同。

3.根据权利要求1所述的电容式光电探测器，其特征在于，沿由所述第一电极板指向所述第二电极板的方向，所述光电效应单元的p型半导体的厚度同n型半导体的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的电容式光电探测器，其特征在于，沿由所述第一电极板指向所述第二电极板的方向，所述光电效应单元的p型半导体的厚度同n型半导体的厚度之比为1：

2.8125。

5.根据权利要求1所述的电容式光电探测器，其特征在于，沿由所述第一电极板指向所述第二电极板的方向，所述光电效应单元的厚度大于或等于50nm。

6.根据权利要求1所述的电容式光电探测器，其特征在于，所述第一电极板和所述第二电极板平行设置。