1.一种光电探测器，其特征在于，包括：光导部、光吸收段、p型半导体、n型半导体、第一电极、第二电极和第三电极；所述光导部设于所述p型半导体和所述n型半导体之间，所述光吸收段贴合于所述光导部并沿所述光导部的光路方向设置；所述第一电极导通连接于所述p型半导体，所述第二电极导通连接于所述n型半导体，所述第三电极导通连接于所述光吸收段；所述光吸收段由光电效应材料制成；沿光路方向，所述光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的(0.9n‑0.5)～(1.1n‑0.5)倍；其中，n为正整数。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，沿光路方向，所述光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的(0.97n‑0.5)～(1.03n‑0.5)倍。

3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，沿光路方向，所述光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的(n‑0.5)倍。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光导部和所述光吸收段二者宽度相等。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极同所述p型半导体的贴合区呈矩形并沿光路方向设置；所述第二电极同所述n型半导体的贴合区呈矩形并沿光路方向设置；所述第三电极同所述光吸收段的贴合区呈矩形并沿光路方向设置。

6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光吸收段的厚度为所述光导部的厚度的1.5～2.5倍。

7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光导部的两端均设置有光入射接口。

8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光导部为硅波导，所述光吸收段为锗。

9.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述p型半导体为p型硅，所述n型半导体为n型硅。