1.一种电容式光电探测器，其特征在于，包括：第一电极；

第二电极，与所述第一电极相对设置；

光吸收层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；

绝缘层，设置于所述第一电极与所述光吸收层以及所述第二电极与所述光吸收层之间，并覆盖所述光吸收层。

2.根据权利要求1所诉的一种电容式光电探测器，其特征在于，还包括bias-T电流信号提取装置，所述bias-T电流信号提取装置设有RF端与DC端，所述第一电极与RF端相连，所述第二电级与DC端相连。

3.根据权利要求1所诉的一种电容式光电探测器，其特征在于，还包括电压源，所述第一电极外接电压源的第一端，所述电压源的第二端与第二电极连接。

4.根据权利要求1所诉的一种电容式光电探测器，其特征在于，光吸收层为PN结结构。

5.根据权利要求1所诉的一种电容式光电探测器，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅。

6.一种如权利要求1至5任意一项的电容式光电探测器的制作工艺，其特征在于，包括：准备SOI衬底；

在SOI衬底上通过刻蚀制备出锗的生长窗口，并隔断SOI衬底的本征硅，获得互不相连的第一本征硅区、第二本征硅区以及第三本征硅区；所述第二本征硅区位于所述第一本征硅区与第三本征硅区之间；

通过异质外延将锗吸收层生长在第二本征硅区上，并对锗吸收层实施N掺杂；

将金属电极生长在锗吸收层的两侧的第一本征硅区与第三本征硅区上，获得第一电极以及第二电极；

用绝缘层覆盖整个器件。

7.根据权利要求6所诉的一种电容式光电探测器制作工艺，其特征在于，所述第一电极垂直生长在第一本征硅层上，所述第二电极垂直生长在第三本征硅层上。