1.一种光电探测器，其特征在于，包括吸收器，所述吸收器由下到上依次包括衬底层(11)、反射层(12)和吸收层(13)，其中，所述吸收层(13)为过渡金属硫化物薄膜；所述吸收层(13)上设置电极层。

2.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述衬底层(11)的材料为氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述反射层(12)的材料为金或银，厚度为50～100nm。

4.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述反射层(12)的生长方法为离子溅射或模板拆除法。

5.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述吸收层(13)的材料为过渡金属硫化物，厚度为15～30nm。

6.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述吸收层(13)的均方根粗糙度小于1nm。

7.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述吸收层(13)的生长方法为聚合物辅助沉积法。

8.根据权利要求7所述的一种光电探测器，其特征在于，所述聚合物辅助沉积法包括：按质量份数将1份乙二胺四乙酸和1份聚乙烯亚胺混合溶解在30份去离子水中形成溶液；

然后在所述溶液中按质量份数加入2份钼酸铵或2份钨酸铵，从而形成的均相聚合物前驱体；

对所述均相聚合物前驱体搅拌后进行超滤；

将所述超滤后的所述均相聚合物前驱体溶液旋涂在所述反射层(12)上并得到薄膜，其中，旋涂速度为8000rpm，旋涂时间为30s；

将所述薄膜与硫族气体进行反应后，在1h内加热至500～900℃，得到样品；

对所述样品进行退火，然后自然冷却至室温。

9.根据权利要求8所述的一种光电探测器，其特征在于，将所述薄膜与硫族气体进行反应的方法具体为：将所述薄膜放入管式炉中的石英管的内部，将硫族粉末放置于石英管入口处，并向所述石英管中通入气体，将气化后的硫族气体运载至薄膜处进行充分的反应。

10.根据权利要求9所述的一种光电探测器，其特征在于，向所述石英管中通入气体的方法为：向所述石英管中分别以60sccm通入氩气和以6～30sccm通入氢气；

其中，当所述硫族粉末为硫粉时，只向所述石英管中以60sccm通入氩气。

11.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述电极层的材料为金。

12.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述电极层包括第一电极(21)和第二电极(22)，且所述第一电极(21)和所述第二电极(22)整列排布在所述吸收层(13)上。