1.一种半导体芯片生产制备系统的旋转蚀刻结构，其特征在于：半导体芯片生产制备装置由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体；第三操作腔体内部由上至下依次安装设置有加热结构部分、冰粒平坦化制程结构部分、旋转蚀刻结构部分；第三操作腔体内底部旋转蚀刻结构部分一侧通过管道及阀件连接设置有稀释用纯水接入口，另一侧设置有电镀铜水溶液的帮浦输送管及回流管和排放管。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的旋转蚀刻结构，其特征在于：旋转蚀刻结构部分设置有多组平均分布在硅片载盘及硅片举起机构四周并通过高压吹起结构和电镀结构提供高压空气喷吹气流和执行电镀铜制成工艺，每组旋转蚀刻机构都设置有稀释纯水进水管路冲洗旋转蚀刻工艺产生的化学溶液废液排放捕捉槽区，高压吹起结构分为顶部管路和底部管路，顶部管路高压空气喷吹使得湿液不至于跑到硅片正面，底部管路高压空气喷吹使得硅片在滚轮上悬浮但被带动旋转。

3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产制备系统的旋转蚀刻结构，其特征在于：高压吹起结构左侧设置有具有缓冲机制的管轮用以使硅片固定在中心位置，右侧开口处之上设置有触控传感器，硅片碰触至触控传感器时停止高压空气喷吹；右侧开口处之下设置有滚轮，由马达控制用以在启动时使硅片转动；

高压吹起结构外部四周安装有沉降盘结构。

4.根据权利要求1或2任意一项所述的一种半导体芯片生产制备系统的旋转蚀刻结构，其特征在于：旋转蚀刻结构部分四周设置有化学溶液排放捕捉槽；旋转蚀刻结构部分中间设置有硅片载盘及硅片举起机构，正中央外可增加高压空气喷射口来维持液体在硅片正背面流动。

5.根据权利要求1或2或3或4任意一项所述的一种半导体芯片生产制备系统的旋转蚀刻结构，其特征在于：旋转蚀刻制成工艺流程如下：

1）移动手臂伸出抓住硅片

2）化学溶液喷射手臂伸出

3）开始喷射湿式蚀刻化学溶液

4）高压空气同时开始吹气使液体保持在硅片背面向外流动。