1.一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括Si片基底、负载于Si片基底上的功能单元以及探针，所述功能单元为SiC/ZnO纳米异质结，所述探针尖端镀层为Pt/Ir；所述SiC/ZnO纳米异质结包括SiC纳米线以及覆盖在SiC纳米线表面的ZnO纳米层；

所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)制备SiC/ZnO纳米异质结：

将SiC纳米线分散于乙醇溶液中，取含有SiC纳米线的乙醇溶液滴在Si片上，自然晾干；

然后将载有SiC纳米线的Si片面朝上放入原子层沉积系统，在惰性气氛中，以二乙基锌和水作为生长ZnO纳米层的前驱体，在SiC纳米线表面生长ZnO纳米层，从而获得SiC/ZnO纳米异质结；

(2)压力传感器构建：

将载有SiC/ZnO纳米异质结的Si片，在原子力显微镜导电模式下构建Pt/Ir-SiC/ZnO-Si压力传感器。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述SiC纳米线直径为200-900nm，长度为5-30μm。

3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述ZnO纳米层厚度为10-30nm。

4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述ZnO纳米层厚度为18-22nm。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述SiC纳米线为未掺杂SiC纳米线、N掺杂SiC纳米线、P掺杂SiC纳米线中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述N掺杂SiC纳米线的制备方法包括以下步骤：将聚硅氮烷热交联固化和粉碎后，放入石墨坩埚中；

将负载有催化剂的碳纤维布衬底放置在石墨坩埚顶部；

将石墨坩埚放置于气氛烧结炉中，气氛烧结炉先抽真空至1-5Pa，然后通入保护气氛，在保护气氛下烧结，得N掺杂SiC纳米线。

7.根据权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，所述催化剂为硝酸钴、硝酸镍、硝酸铁、硫酸镍中的一种或多种。

8.根据权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，原子层沉积系统的沉积温度为150-

200℃。