首页
利索能及专利检索
电话:15618600796
登录
/
免费注册
利索能及授权登录
查出售
查求购
我要发布
专利交易
专利求购
15618600796
利索能及经纪人
收藏
一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法
¥19200
专利号:
2018103111729
申请人:
宁波工程学院
专利类型:
发明专利
专利状态:
已下证
更新日期:
2025-11-13
缴费截止日期:
暂无
联系人
专利简介
专利详情
购买说明
国家局暂未公布该信息
推荐专利
一种Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法
发明专利
¥19200
调控SiC纳米阵列密度的方法
发明专利
¥19200
一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法
发明专利
¥19200
SiC纳米阵列
发明专利
¥19200
我要求购
您有专利需要变现?
我要出售
智能匹配需求,快速出售