1.一种N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器，其特征在于，所述的传感器的功能单元为单晶N和P共掺杂SiC纳米线。

2.根据权利要求1所述的N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器，其特征在于，N和P的掺杂量分别为1.35-3.0at.％和0.06-0.11at.％。

3.一种如权利要求1所述的N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

1)制备N和P共掺杂SiC纳米线：

a、将有机前驱体聚硅氮烷热交联固化和粉碎，取粉碎后的聚硅氮烷原料和磷酸盐，放入石墨坩埚中；

b、将碳纤维布衬底浸入催化剂Co(NO3)2乙醇溶液并自然风干，放置在坩埚顶部；

c、将石墨坩埚及衬底一起放置于气氛烧结炉中，气氛炉先抽真空至4～5Pa，炉中残留N2作为N掺杂剂，再充入保护气体，直至压力为一个大气压；在保护气体的作用下在1180-1380℃下烧结得N和P共掺杂SiC纳米线；

2)压力传感器构建：

将N和P共掺杂SiC纳米线超声分散在乙醇中，然后滴洒在高定向石墨片上，在原子力显微镜导电模式下构建金属-半导体-金属结构的Pt/Ir-SiC-graphite压力传感器，其功能元件为N和P共掺杂SiC纳米线。

4.根据权利要求3所述的N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器的制备方法，其特征在于，聚硅氮烷原料和磷酸盐的质量比为4-6:1。

5.根据权利要求3或4所述的N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的磷酸盐为磷酸钾粉末、磷酸铁粉末中的一种或两种。

6.根据权利要求3所述的N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器的制备方法，其特征在于，在保护气体的作用下先以28-32℃/min升温速率升温到1180-1230℃，然后以8-12℃/min升温速率继续升温至1320-1380℃，随后以18-22℃/min降温速率降温至1040-1060℃，最后炉冷至室温。

7.根据权利要求3所述的N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的保护气体为Ar气或者N2/Ar＝5/95的混合气体。