1.SiC纳米阵列，其特征在于:包括基体和形成于基体表面的纳米阵列， 所述纳米阵列为SiC纳米线排列，其中SiC纳米线中SiC晶型为C型或者H型或者R型； 所述SiC纳米阵列中纳米线的阵列密度为(5.0-6.0) X 17根/cm2。

2.根据权利要求1所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述SiC纳米阵列中SiC纳米线的阵列密度为(5.2-5.7) X 17根/cm 2。

3.根据权利要求1所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述基体为SiC基体，其中SiC基体的晶型包括 3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC 中的任一。

4.根据权利要求1所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述SiC纳米线中SiC晶型为C型时SiC为3C-SiC ;所述SiC纳米线中SiC晶型为H型时SiC为2H-SiC、4H-SiC、6H_SiC中任一；所述SiC纳米线中SiC晶型为R型时SiC为15R-SiC。

5.根据权利要求1所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述纳米阵列为SiC纳米线取向排列。

6.根据权利要求1或5所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述纳米阵列为SiC纳米线取向均匀排列。

7.根据权利要求1或2或4或5所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述SiC纳米线的长度范围为2-15微米。

8.根据权利要求1或2或4或5任一所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述SiC纳米线的平均直径(以纳米线距基体表面1/3处直径计)范围为0.1-0.3微米。

9.根据权利要求7所述的SiC纳米阵列，其特征在于:所述SiC纳米线的平均直径(以纳米线距基体表面1/3处直径计)范围为0.1-0.3微米。